通孔刻蚀方法

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专利标题： 通孔刻蚀方法
专利标题（英）： Through hole etching method
申请号： CN200810224596.8

申请日： 2008-10-21
公开(公告)号： CN101728260B

公开(公告)日： 2011-04-20
发明人: 张海洋 , 陈海华 , 黄怡 , 赵林林
申请人： 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请人地址： 北京市经济技术开发区文昌大道18号
专利权人： 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
当前专利权人： 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
当前专利权人地址： 北京市经济技术开发区文昌大道18号
代理机构： 北京德琦知识产权代理有限公司
代理商 宋志强; 麻海明
主分类号： H01L21/311
IPC分类号： H01L21/311 ; H01L21/768

摘要：

本发明公开了一种通孔刻蚀方法，形成通孔刻蚀结构后对通孔进行刻蚀，对通孔刻蚀结构中的底部防反射涂层进行刻蚀时，采用溴化氢气体刻蚀，得到锥形孔结构。本发明提供的方法可以在不更改现有曝光和显影方法基础上，使刻蚀的通孔特征尺寸达到所要求的通孔特征尺寸。

摘要（英）：

The invention discloses a through hole etching method which etches a through hole after a through hole etching structure is formed; when a bottom anti-reflection coating in the through hole etching structure is etched, hydrogen bromide gas is adopted for etch to obtain a tapered hole structure. The through hole etching method can enable the characteristic dimension of the etched through hole to reach the required characteristic dimension of the through hole without changing the traditional exposure and developing method.

公开/授权文献

CN101728260A 通孔刻蚀方法公开/授权日：2010-06-09

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中国专利公布公告 Global Dossier Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30	....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/31	.....在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的（密封层入H01L21/56）；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3105	......后处理
H01L21/311	.......绝缘层的刻蚀