- 专利标题： 用于生长纤锌矿型晶体的衬底、其制造方法和半导体器件
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申请号： CN200910179050.X申请日： 2009-10-09
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公开(公告)号： CN101719483B公开(公告)日： 2011-12-21
- 发明人: 板垣奈穗 , 岩崎达哉 , 星野胜之
- 申请人： 佳能株式会社
- 申请人地址： 日本东京
- 专利权人： 佳能株式会社
- 当前专利权人： 佳能株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京
- 代理机构： 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理商 刘倜
- 优先权： 2008-262931 2008.10.09 JP; 2009-213725 2009.09.15 JP
- 主分类号： H01L23/00
- IPC分类号： H01L23/00 ; H01L21/203 ; H01L29/72 ; H01L29/861 ; H01L33/00 ; H01L31/0264
摘要：
本发明涉及用于生长纤锌矿型晶体的衬底及其制造方法，以及半导体器件。一种层叠结构包括：包括具有六重对称性的晶体的第一层，以及在第一层上形成的包括金属氧氮化物晶体的第二层，其中第二层包括选自由In、Ga、Si、Ge和Al构成的组中的至少一种元素、N、O和Zn作为主要元素，以及其中第二层具有面内取向。
公开/授权文献
- CN101719483A 用于生长纤锌矿型晶体的衬底、其制造方法和半导体器件 公开/授权日：2010-06-02
IPC分类:
