- 专利标题: 静态随机存取存储器老化筛选方法与芯片老化筛选方法
- 专利标题(英): Static random access memory ageing and screening method and chip ageing and screening method
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申请号: CN200810131364.8申请日: 2008-08-11
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公开(公告)号: CN101650975B公开(公告)日: 2012-11-14
- 发明人: 陈瑞隆 , 陈伟松 , 钟毅勋 , 张家铨
- 申请人: 世界先进积体电路股份有限公司
- 申请人地址: 中国台湾新竹科学工业园区
- 专利权人: 世界先进积体电路股份有限公司
- 当前专利权人: 世界先进积体电路股份有限公司
- 当前专利权人地址: 中国台湾新竹科学工业园区
- 代理机构: 北京三友知识产权代理有限公司
- 代理商 任默闻
- 主分类号: G11C29/04
- IPC分类号: G11C29/04 ; G11C11/413 ; G01R31/02
摘要:
本发明提供静态随机存取存储器老化筛选方法与芯片老化筛选方法。静态随机存取存储器(SRAM)老化筛选方法藉由控制静态随机存取存储器一存储单元的相关控制信号令所述存储单元与相关的一位线与一互补位线组成电流回路,以电流对所述存储单元的金属接点进行老化筛选动作。本发明因而可用来淘汰金属接点接触不良的产品。
公开/授权文献
- CN101650975A 静态随机存取存储器老化筛选方法与芯片老化筛选方法 公开/授权日:2010-02-17