发明授权
- 专利标题: 发光元件和发光设备
- 专利标题(英): Light emitting element and light emitting device
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申请号: CN200910164537.0申请日: 2005-05-17
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公开(公告)号: CN101640216B公开(公告)日: 2011-09-28
- 发明人: 熊木大介 , 池田寿雄 , 安部宽子 , 濑尾哲史
- 申请人: 株式会社半导体能源研究所
- 申请人地址: 日本神奈川县厚木市
- 专利权人: 株式会社半导体能源研究所
- 当前专利权人: 株式会社半导体能源研究所
- 当前专利权人地址: 日本神奈川县厚木市
- 代理机构: 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理商 柯广华; 李家麟
- 优先权: 2004-152491 2004.05.21 JP
- 分案原申请号: 2005800246227 2005.05.17
- 主分类号: H01L27/32
- IPC分类号: H01L27/32 ; H01L51/50 ; H01L51/52 ; G06F1/16 ; H04M1/02 ; H04N5/64
摘要:
本发明的一种发光元件包括在第一和第二电极之间的n片发光层(n是自然数)。在第m发光层(m是自然数:1≤m≤n)和第m+1发光层之间的第一层和第二层被提供。该第一和第二层互相接触。该第一层包含容易传输空穴的物质和具有受电子特性的物质。该第二层包含容易传输电子的物质和具有给电子特性的物质。钼氧化物用作为具有受电子特性的物质。