知搜-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册
发明授权
CN101578694B 导电性凸块及其形成方法和半导体装置及其制造方法 失效 - 权利终止

  • 专利标题： 导电性凸块及其形成方法和半导体装置及其制造方法
  • 专利标题（英）： Conductive bump, method for manufacturing the conductive bump, semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device
  • 申请号： CN200780042449.2
    申请日： 2007-11-20
  • 公开(公告)号： CN101578694B
    公开(公告)日： 2011-07-13
  • 发明人: 八木能彦 , 樱井大辅
  • 申请人： 松下电器产业株式会社
  • 申请人地址： 日本大阪府
  • 专利权人： 松下电器产业株式会社
  • 当前专利权人： 松下电器产业株式会社
  • 当前专利权人地址： 日本大阪府
  • 代理机构： 中科专利商标代理有限责任公司
  • 代理商 李贵亮
  • 优先权： 351242/2006 2006.12.27 JP
  • 国际申请： PCT/JP2007/072423 2007.11.20
  • 国际公布： WO2008/078478 JA 2008.07.03
  • 进入国家日期： 2009-05-15
  • 主分类号： H01L21/60
  • IPC分类号： H01L21/60
导电性凸块及其形成方法和半导体装置及其制造方法
摘要：
本发明提供一种导电性凸块及其形成方法和半导体装置及其制造方法，导电性凸块(17)形成在电子元件的电极端子(11)面上，导电性凸块(17)至少由导电性填料的密度不同的多种树脂固化物构成。从而能够防止由于安装时导电性凸块(17)的压溃而造成的短路和连接不良等现象的发生。
摘要（英）：

A conductive bump (17) is formed on a surface of an electrode terminal (11) of an electronic component, and the conductive bump (17) is composed of at least a plurality of cured resin materials havingdifferent conductive filler densities. Thus, short-circuits and connection failures due to crush of the conductive bump (17) at the time of mounting are prevented.

公开/授权文献
0/0