Invention Grant
- Patent Title: 混合光学和电子束光刻制造层的共对准的沟槽结构及方法
- Patent Title (English): Trench structure and method for co-alignment of mixed optical and electron beam lithographic fabrication levels
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Application No.: CN200780049067.2Application Date: 2007-12-17
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Publication No.: CN101573779BPublication Date: 2014-05-28
- Inventor: D·M·弗里德 , J·M·赫根勒特尔 , S·J·麦克纳布 , M·J·鲁克斯 , A·托波尔
- Applicant: 国际商业机器公司
- Applicant Address: 美国纽约
- Assignee: 国际商业机器公司
- Current Assignee: 格芯美国第二有限责任公司
- Current Assignee Address: 美国纽约
- Agency: 北京市中咨律师事务所
- Agent 于静; 杨晓光
- Priority: 11/618,957 2007.01.02 US
- International Application: PCT/US2007/087742 2007.12.17
- International Announcement: WO2008/082933 EN 2008.07.10
- Date entered country: 2009-07-01
- Main IPC: H01L21/027
- IPC: H01L21/027 ; H01L21/68
Abstract:
本发明提供一种方法将集成电路芯片的制造层的第一组特征对准到衬底上形成的电子束对准目标，并使用电子束光刻来形成第一组特征，以及将集成电路芯片的相同制造层的第二组特征对准到衬底中形成的光学对准目标，并使用光学光刻来形成第二组特征，光学对准目标本身对准电子束对准目标。本发明还提供一种电子束对准目标的结构及其形成方法。
Public/Granted literature
- CN101573779A 混合光学和电子束光刻制造层的共对准的沟槽结构及方法 Public/Granted day:2009-11-04
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IPC分类:
