本发明公开了固体摄像装置、固体摄像装置制造方法以及电子设备。所述固体摄像装置包括：像素部；周边电路部；在所述像素部中除了隔离部上方的部分或全部区域之外的区域中形成的硅化阻挡层；以及在所述周边电路部中形成的具有金属硅化物层的晶体管。由于硅化阻挡层的表面面积被减小，从而降低了由硅化阻挡层的热膨胀与半导体基板的热膨胀之间的差异所引起的翘曲度。这使得翘曲应力减小，因此抑制了由任何应力所引起的噪声的产生。由于在所述像素部中没有形成金属硅化物层，因而能够抑制结漏、暗电流及白点的产生。本发明能够在不增加制造步骤数量的情况下提高固体摄像装置的像素特性，从而得到具有较高图像质量的电子设备。