- 专利标题: 强磁场下ZnO及其稀磁半导体材料的制备方法与装置
- 专利标题(英): Method and apparatus for preparing ZnO and diluted magnetic semi-conducting material under intense magnetic field
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申请号: CN200910046529.6申请日: 2009-02-24
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公开(公告)号: CN101486486B公开(公告)日: 2011-11-23
- 发明人: 朱明原 , 李瑛 , 杨涛 , 黄金 , 李义兵 , 胡业旻 , 金红明
- 申请人: 上海大学
- 申请人地址: 上海市宝山区上大路99号
- 专利权人: 上海大学
- 当前专利权人: 国网上海市电力公司,上海欣能信息科技发展有限公司
- 当前专利权人地址: 上海市宝山区上大路99号
- 代理机构: 上海上大专利事务所
- 代理商 顾勇华
- 主分类号: C01G9/02
- IPC分类号: C01G9/02
摘要:
本发明涉及强磁场下ZnO及其稀磁半导体材料的制备方法及装置,属于(磁性)半导体材料工艺技术领域。本发明方法是采用锌盐、沉淀剂及掺杂金属盐溶液为原料;按照沉淀剂与锌盐的摩尔比为1∶1~12∶1,金属盐与锌盐的摩尔比为0.1∶100~20∶100,高压反应釜的填充度为50~90%,在水热法的基础上施加磁场强度为1~70T(特斯拉)的强磁场,在反应温度为100~400℃条件下,在反应釜中反应0.5~36小时,得到反应生成物,然后将产物在50~400℃下干燥0.5~6小时,即得到ZnO或某种金属离子掺杂的稀磁半导体粉体材料。本发明方法制得的ZnO粉末材料,纯度高、掺杂均匀、微观结构可控,而某些金属离子掺杂制得的ZnO基稀磁半导体粉体材料具有室温铁磁性的。
公开/授权文献
- CN101486486A 强磁场下ZnO及其稀磁半导体材料的制备方法与装置 公开/授权日:2009-07-22
IPC分类: