发明授权
CN101459175B 半导体器件及其制造方法
失效 - 权利终止
- 专利标题： 半导体器件及其制造方法
- 专利标题（英）： Semiconductor device and method of fabricating the same
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申请号： CN200810126686.3申请日： 2008-06-20
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公开(公告)号： CN101459175B公开(公告)日： 2011-08-17
- 发明人: 黄允泽 , 林宽容
- 申请人： 海力士半导体有限公司
- 申请人地址： 韩国京畿道
- 专利权人： 海力士半导体有限公司
- 当前专利权人： 海力士半导体有限公司
- 当前专利权人地址： 韩国京畿道
- 代理机构： 北京天昊联合知识产权代理有限公司
- 代理商 顾红霞; 何胜勇
- 优先权： 10-2007-0128346 2007.12.11 KR
- 主分类号： H01L27/04
- IPC分类号： H01L27/04 ; H01L27/108 ; H01L21/822 ; H01L21/8242 ; H01L21/762
摘要：
本发明公开一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件及其制造方法通过增加单元区域来提高集成度，同时通过采用叠层结构来形成单元区域与核心区域来确保器件的可靠性以及工序裕量。
公开/授权文献
- CN101459175A 半导体器件及其制造方法 公开/授权日：2009-06-17
IPC分类:
