发明授权
CN101452926B 混合集成电路装置
失效 - 权利终止
- 专利标题: 混合集成电路装置
- 专利标题(英): Hybrid integrated circuit device
-
申请号: CN200810191187.2申请日: 2008-09-26
-
公开(公告)号: CN101452926B公开(公告)日: 2011-04-06
- 发明人: 茂木昌巳 , 寺内正志 , 比护孝
- 申请人: 三洋电机株式会社 , 三洋半导体株式会社
- 申请人地址: 日本大阪府
- 专利权人: 三洋电机株式会社,三洋半导体株式会社
- 当前专利权人: 三洋电机株式会社,三洋半导体株式会社
- 当前专利权人地址: 日本大阪府
- 代理机构: 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 岳雪兰
- 优先权: 249555/07 2007.09.26 JP
- 主分类号: H01L25/00
- IPC分类号: H01L25/00 ; H01L25/16 ; H01L23/31
摘要:
在采用金属基板的一种混合集成电路装置中,防止因陶瓷电容器根据开关晶体管的导通、截止产生伸缩而引起的振动传递到金属基板上产生声音噪声。为了提高散热效果,在绝缘处理后的金属基板(5)上的导电通路(3)中装入由驱动脉冲驱动的开关晶体管(Q1)和与该开关晶体管(Q1)连接的陶瓷电容器(C1),用焊料(4)将陶瓷电容器的两端固定在上述导电通路(3)上,用硬质性树脂(7)覆盖焊料(4),避免金属基板的热膨胀引起的焊料裂缝,用柔性树脂(8)覆盖整个陶瓷电容器(C1)和硬质性树脂(7),用柔性树脂吸收由陶瓷电容器在开关时产生的膨胀引起的噪声,从而防止金属基板共鸣。
公开/授权文献
- CN101452926A 混合集成电路装置 公开/授权日:2009-06-10
IPC分类: