发明授权
- 专利标题: 半导体器件的制造方法
- 专利标题(英): Manufacturing method of semiconductor device
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申请号: CN200810186383.0申请日: 2002-11-20
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公开(公告)号: CN101447438B公开(公告)日: 2010-12-01
- 发明人: 伊藤富士夫 , 铃木博通
- 申请人: 瑞萨电子株式会社
- 申请人地址: 日本神奈川
- 专利权人: 瑞萨电子株式会社
- 当前专利权人: 恩益禧电子股份有限公司
- 当前专利权人地址: 日本神奈川
- 代理机构: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理商 郭放
- 优先权: 381427/2001 2001.12.14 JP; 291975/2002 2002.10.04 JP
- 分案原申请号: 021513848 2002.11.20
- 主分类号: H01L21/50
- IPC分类号: H01L21/50 ; H01L21/56 ; H01L21/60 ; H01L23/495
摘要:
本发明涉及一种半导体器件的制造方法。本发明的课题在于推进QFN(四方扁平无引线封装)的多管脚化。半导体芯片(2)在被安装在管芯底座部(4)上的状态下被配置在密封体(3)的中央部。在管芯底座部(4)的周围,以由与管芯底座部(4)和悬吊引线(5b)相同的金属构成的多条引线(5)包围管芯底座部(4)的方式进行了配置。这些引线(5)的一个端部一侧(5a)经Au焊丝(6)与半导体芯片(2)的主面的键合焊盘导电性地连接,另一个端部一侧(5c)以密封体(3)的侧面为终端。为了缩短每一条引线(5)与半导体芯片(2)的距离,一个端部一侧(5a)分布在管芯底座部(4)的附近,一个端部一侧(5a)的与邻接的引线(5)的间距比另一个端部一侧(5c)的与邻接的引线(5)的间距小。
公开/授权文献
- CN101447438A 半导体器件的制造方法 公开/授权日:2009-06-03
IPC分类: