用于热电应用的掺杂碲化铅
Abstract:
一种包括以下通式的化合物的p-传导的或n-传导的半导体材料,其中在每种情况下独立地,n是不同于Pb和Te的化学元素的数量,1ppm≤x1...xn≤0.05,-0.05≤z≤0.05,并且n≥2,A1....An彼此互不相同并且选自元素组Li、Na、K、Rb、Cs、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Al、Ga、In、Tl、Si、Ge、Sn、As、Sb、Bi、S、Se、Br、I、Sc、Y、La、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Re、Fe、Ru、Os、Co、Rh、Ir、Ni、Pd、Pt、Cu、Ag、Au、Zn、Cd、Hg、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu,或者n=1,A1选自Ti、Zr、Ag、Hf、Cu、Gr、Nb、Ta。
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