Invention Grant
- Patent Title: 用于热电应用的掺杂碲化铅
- Patent Title (English): Doped lead tellurides for thermoelectric applications
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Application No.: CN200780013506.4Application Date: 2007-01-29
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Publication No.: CN101421185BPublication Date: 2014-05-07
- Inventor: F·哈斯
- Applicant: 巴斯夫欧洲公司
- Applicant Address: 德国路德维希港
- Assignee: 巴斯夫欧洲公司
- Current Assignee: 巴斯夫欧洲公司
- Current Assignee Address: 德国路德维希港
- Agency: 北京市中咨律师事务所
- Agent 杨晓光; 李峥
- Priority: 06111281.9 2006.03.16 EP
- International Application: PCT/EP2007/050851 2007.01.29
- International Announcement: WO2007/104601 DE 2007.09.20
- Date entered country: 2008-10-14
- Main IPC: C01B19/00
- IPC: C01B19/00 ; H01L35/16 ; H01L35/22 ; C04B35/515

Abstract:
一种包括以下通式的化合物的p-传导的或n-传导的半导体材料,其中在每种情况下独立地,n是不同于Pb和Te的化学元素的数量,1ppm≤x1...xn≤0.05,-0.05≤z≤0.05,并且n≥2,A1....An彼此互不相同并且选自元素组Li、Na、K、Rb、Cs、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Al、Ga、In、Tl、Si、Ge、Sn、As、Sb、Bi、S、Se、Br、I、Sc、Y、La、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Re、Fe、Ru、Os、Co、Rh、Ir、Ni、Pd、Pt、Cu、Ag、Au、Zn、Cd、Hg、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu,或者n=1,A1选自Ti、Zr、Ag、Hf、Cu、Gr、Nb、Ta。
Public/Granted literature
- CN101421185A 用于热电应用的掺杂碲化铅 Public/Granted day:2009-04-29
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