Invention Grant
- Patent Title: 具有可编程字长的存储器阵列及其操作方法
- Patent Title (English): Memory array having a programmable word length, and method of operating same
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Application No.: CN200780007134.4Application Date: 2007-03-29
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Publication No.: CN101395551BPublication Date: 2013-01-16
- Inventor: 埃里克·卡曼
- Applicant: 微米技术有限公司
- Applicant Address: 美国爱达荷州
- Assignee: 微米技术有限公司
- Current Assignee: 微米技术有限公司
- Current Assignee Address: 美国爱达荷州
- Agency: 北京集佳知识产权代理有限公司
- Agent 潘士霖; 李春晖
- Priority: 60/790,111 2006.04.07 US; 11/724,552 2007.03.15 US
- International Application: PCT/US2007/007591 2007.03.29
- International Announcement: WO2007/126830 EN 2007.11.08
- Date entered country: 2008-08-28
- Main IPC: G05B99/00
- IPC: G05B99/00 ; G06N7/00

Abstract:
一种存储器单元阵列和具有存储器单元阵列的器件(即集成电路器件,例如逻辑器件(比如微控制器或微处理器)或存储器器件(比如离散存储器))包括在晶体管体中存储电荷的电浮置体晶体管以及用于读取、控制和/或操作这样的存储器单元阵列和这样的器件的技术。该存储器单元阵列和器件包括可变和/或可编程字长。字长与所选存储器单元行的所选存储器单元(经由地址数据来确定)有关。在一个实施例中,字长可以是少于或等于存储器阵列的所选行中存储器单元总数的所选行中任何存储器单元数目。在一个方面中,可以针对存储器阵列的所选行的所选存储器单元执行写入和/或读取操作,而所选行的未选存储器单元不受干扰。
Public/Granted literature
- CN101395551A 具有可编程字长的存储器阵列及其操作方法 Public/Granted day:2009-03-25
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