发明授权
CN101359638B 电子设备及其制造方法和半导体装置
失效 - 权利终止
- 专利标题： 电子设备及其制造方法和半导体装置
- 专利标题（英）： Electronic device, method of producing the same, and semiconductor device
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申请号： CN200810130149.6申请日： 2008-07-30
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公开(公告)号： CN101359638B公开(公告)日： 2010-12-15
- 发明人: 田中秀一 , 伊东春树
- 申请人： 精工爱普生株式会社
- 申请人地址： 日本东京
- 专利权人： 精工爱普生株式会社
- 当前专利权人： 精工爱普生株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京
- 代理机构： 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 汪惠民
- 优先权： 2007-197174 2007.07.30 JP
- 主分类号： H01L23/482
- IPC分类号： H01L23/482 ; H01L23/488 ; H01L21/60
摘要：
本发明提供一种半导体装置，目的在于即使在分别排列于1对区域的端子的数量不同的情况下，也能使树脂突起的变形量的差较小。半导体装置具有：按照从多个第1电极(14)上到第1树脂突起(20)上为止的方式形成的多个即n1个第1布线(28)；和按照从多个第2电极(16)上到第2树脂突起(22)上为止的方式形成的多个即n2(n2＜n1)个第2布线(30)。第1树脂突起(20)和第2树脂突起(22)由相同的材料构成，形成为以相同的宽度沿着长边方向延伸的形状。第1布线(28)按照和第1树脂突起(20)的长轴交叉的方式延伸，在第1树脂突起(20)上有第1宽度W1。第2布线(30)按照和第2树脂突起(22)的长轴交叉的方式延伸，在第2树脂突起(22)上有第2宽度W2(W1＜W2)。有W1×n1＝W2×n2的关系。
公开/授权文献
- CN101359638A 电子设备及其制造方法和半导体装置 公开/授权日：2009-02-04
IPC分类:
