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发明授权
CN101325208B 固态图像捕捉器件、其制造方法和电子信息器件 失效 - 权利终止

  • 专利标题： 固态图像捕捉器件、其制造方法和电子信息器件
  • 专利标题（英）： Solid-state image capturing device, manufacturing method for solid-state image capturing device, and electronic information device
  • 申请号： CN200810125559.1
    申请日： 2008-06-13
  • 公开(公告)号： CN101325208B
    公开(公告)日： 2011-07-27
  • 发明人: 北村惠则
  • 申请人： 夏普株式会社
  • 申请人地址： 日本大阪府大阪市
  • 专利权人： 夏普株式会社
  • 当前专利权人： 夏普株式会社
  • 当前专利权人地址： 日本大阪府大阪市
  • 代理机构： 中国专利代理(香港)有限公司
  • 代理商 张雪梅; 刘宗杰
  • 优先权： 2007-158824 2007.06.15 JP
  • 主分类号： H01L27/146
  • IPC分类号： H01L27/146 ;  H01L21/82
固态图像捕捉器件、其制造方法和电子信息器件
摘要：
本发明涉及固态图像捕捉器件、其制造方法和电子信息器件。提供了一种固态图像捕捉器件，且在多个光接收元件二维排列的芯片中央的像素部分中，用来聚焦入射光的芯片上透镜以对应的方式被提供在该多个光接收元件的每一个上；并且为了提高回流焊接时的耐热性，由用于芯片上透镜的材料制成的虚拟图案被提供在芯片外圆周侧上的外围电路部分上。
摘要（英）：

The invention relates a solid-state image capturing device, the fabrication method thereof and the electronic information device. The solid-state image capturing device is provided, and in a pixel section in the center of a chip where a plurality of light receiving elements are arranged in two dimensions, an on-chip lens for focusing incident light is provided on each of the plurality of light receiving elements in a corresponding manner; and a dummy pattern made of a material for the on-chip lens is provided on a peripheral circuit section on an outer circumference side of the chip in order to improve the heat-resisting property at the time of reflow soldering.

公开/授权文献
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