发明授权
- 专利标题: 高纯度多晶硅的制造装置及制造方法
- 专利标题(英): Preparation device and preparation method of high purity polysilicon
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申请号: CN200810084016.X申请日: 2008-03-18
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公开(公告)号: CN101311113B公开(公告)日: 2013-01-09
- 发明人: 并木伸明
- 申请人: JNC株式会社
- 申请人地址: 日本东京都千代田区大手町二丁目2番1号
- 专利权人: JNC株式会社
- 当前专利权人: JNC株式会社
- 当前专利权人地址: 日本东京都千代田区大手町二丁目2番1号
- 代理机构: 北京中原华和知识产权代理有限责任公司
- 代理商 寿宁; 张华辉
- 优先权: 2007-071076 2007.03.19 JP
- 主分类号: B01J12/02
- IPC分类号: B01J12/02 ; C01B33/033 ; C30B29/06 ; C30B28/14
摘要:
一种高纯度多晶硅的制造装置,包括:氯化硅的气化装置;锌熔融蒸发装置;外周面具备加热机构的立式反应器;连接在氯化硅的气化装置和立式反应器间的氯化硅气体供给喷嘴,将氯化硅的气化装置提供的氯化硅气体供应到立式反应器;连接在锌熔融蒸发装置和立式反应器间的锌气体供给喷嘴,将锌熔融蒸发装置提供的锌气体供应到立式反应器;及与立式反应器相连的排气抽出管。锌熔融蒸发装置包括蒸发器;与蒸发器上部相连的主纵筒部;插入主纵筒部内部的固态物分离管;与固态物分离管倾斜相连的锌导入用管;围绕固态物分离管的下端开口部且构成其底面的密封罐;安装在主纵筒部外周面且可调节温度的感应加热装置;及与蒸发器的侧壁相连的气体排放用管。
公开/授权文献
- CN101311113A 高纯度多晶硅的制造装置及制造方法 公开/授权日:2008-11-26