- 专利标题： 减少在非易失性存储设备和相关设备中的写时间的方法
- 专利标题（英）： Methods for reducing write time in nonvolatile memory devices and related devices
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申请号： CN200710303586.9申请日： 2007-12-13
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公开(公告)号： CN101295543B公开(公告)日： 2013-05-01
- 发明人: 金善券 , 李炳勋
- 申请人： 三星电子株式会社
- 申请人地址： 韩国京畿道
- 专利权人： 三星电子株式会社
- 当前专利权人： 三星电子株式会社
- 当前专利权人地址： 韩国京畿道
- 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 钱大勇
- 优先权： 127264/06 2006.12.13 KR
- 主分类号： G11C16/10
- IPC分类号： G11C16/10
摘要：
一种操作非易失性存储设备的方法，包括在连续写操作的执行之间的时期，对于编程和/或擦除所述非易失性存储设备的存储单元将写电压维持在预定电压电平。例如，响应于开始写命令，可以将所述写电压激活为预定电压电平，并且响应于指示连续写命令的信号，可以阻止所述写电压的放电。还讨论了相关的设备。
公开/授权文献
- CN101295543A 减少在非易失性存储设备和相关设备中的写时间的方法 公开/授权日：2008-10-29
