一种钝化偶联材料，其一方面用于使半导体器件中的电介质层钝化，另一方面用于在随后的处理步骤中允许或至少促进在其上的液相金属沉积。在一个具体实例中，所述电介质层可以是具有适宜地降低的介电常数k的多孔材料，并且所述钝化偶联材料提供基本上阻挡将环境水分吸附并且吸入到所述多孔电介质层中的空间屏蔽基团。所述钝化偶联材料还提供与不存在所述钝化偶联材料的金属沉积相比，促进金属在其上以液相形式沉积的金属成核部位。使用液相金属沉积处理促进随后制造所述半导体器件。在一个实例中，所述钝化偶联材料在其化学组成中具有多个Si原子，从而适宜地增加所述材料的热稳定性。