发明授权
- 专利标题: 具有改进的尖端轮廓的晶体管及其制造方法
- 专利标题(英): Transistor with improved tip profile and method of manufacture thereof
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申请号: CN200680023335.9申请日: 2006-06-29
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公开(公告)号: CN101208786B公开(公告)日: 2010-12-01
- 发明人: M·T·博赫 , S·J·凯廷 , T·A·雷特森 , A·S·莫西 , D·W·奥尼尔 , W·瑞驰梅迪
- 申请人: 英特尔公司
- 申请人地址: 美国加利福尼亚州
- 专利权人: 英特尔公司
- 当前专利权人: 英特尔公司
- 当前专利权人地址: 美国加利福尼亚州
- 代理机构: 上海专利商标事务所有限公司
- 代理商 陈斌
- 优先权: 11/173,660 2005.06.30 US
- 国际申请: PCT/US2006/025958 2006.06.29
- 国际公布: WO2007/005817 EN 2007.01.11
- 进入国家日期: 2007-12-27
- 主分类号: H01L21/336
- IPC分类号: H01L21/336 ; H01L21/306 ; H01L29/04 ; H01L21/8234 ; H01L21/8238
摘要:
实施例是改进的晶体管结构及该结构的制造方法。具体地,实施例的湿法蚀刻形成具有改进的尖端形状的源和漏区,以通过改进短沟道效应的控制、增加饱和电流、改进冶金栅长度的控制、增加载流子迁移率并减小源和漏及硅化物之间的界面处的接触电阻来改进晶体管的性能。
公开/授权文献
- CN101208786A 具有改进的尖端轮廓的晶体管及其制造方法 公开/授权日:2008-06-25
IPC分类: