本发明涉及CMOS制程中SONOS结构(Silicon－Oxide－Ntride－Oxide－Silicon)的腐蚀工艺，特别是存储器单元中超薄的ONO结构。本发明可以降低超薄SONOS结构腐蚀工艺中的损伤，且技术简单，适用于基于SONOS结构的存储器工艺制程。按照本发明提供的技术方案，用于存储器单元的SONOS结构腐蚀工艺包括依次叠加在衬底硅上面的底部隧道氧化层、中间SiN层、顶层SiO2层及多晶硅，其特征是：第一步，在多晶硅的局部表面进行光刻；第二步，用等离子体反应刻蚀未被光刻胶覆盖的多晶硅；第三步，用浓度约为0.5％的HF溶液腐蚀掉顶层SiO2层；第四步，去除上述光刻胶；第五步，用98％的H3PO4溶液腐蚀掉中间SiN层。