发明授权
CN101154601B 半导体器件以及半导体器件的制造方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 半导体器件以及半导体器件的制造方法
- 专利标题(英): Semiconductor device and manufacturing method thereof
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申请号: CN200710107360.1申请日: 2007-05-29
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公开(公告)号: CN101154601B公开(公告)日: 2010-12-01
- 发明人: 闲野义则
- 申请人: 冲电气工业株式会社
- 申请人地址: 日本东京都
- 专利权人: 冲电气工业株式会社
- 当前专利权人: 冲电气工业株式会社
- 当前专利权人地址: 日本东京都
- 代理机构: 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 雒运朴; 徐谦
- 优先权: 2006-269209 2006.09.29 JP
- 主分类号: H01L21/50
- IPC分类号: H01L21/50 ; H01L21/56 ; H01L21/58 ; H01L21/60 ; H01L23/28 ; H01L23/488
摘要:
本发明提供一种能以简易且低成本的方式抑制密封树脂的溢出、获得良好的密封质量的半导体器件的制造方法,以及以简易且低成本的方式抑制密封树脂的溢出、并具有良好的密封质量的半导体器件,和降低了热电阻的半导体器件。对于所安装的半导体芯片(20A、20B)的4个端边中至少从端边到与该端边相对的转接板的焊盘(12)的距离最短的端边,向该端边与转接板(10)的间隙填充粘度比液状第2底填料(41)高的液状第1底填料(31),并使其固化,而由第1底填料(30)密封。然后,向除了被第1底填料(30)密封的间隙以外的、半导体芯片与转接板(10)的间隙,填充液状第2底填料(41),并使其固化,而由第2底填料(40)密封。
公开/授权文献
- CN101154601A 半导体器件以及半导体器件的制造方法 公开/授权日:2008-04-02
IPC分类: