- 专利标题: 半导体制造装置中的地震损害扩散降低方法及系统
- 专利标题(英): Earthquake damage spread reducing method and earthquake damage spread reducing system for use in semiconductor manufacturing apparatus
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申请号: CN200710149484.6申请日: 2007-09-13
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公开(公告)号: CN101150045B公开(公告)日: 2010-07-07
- 发明人: 菅原佑道 , 菊池浩
- 申请人: 东京毅力科创株式会社
- 申请人地址: 日本东京都
- 专利权人: 东京毅力科创株式会社
- 当前专利权人: 东京毅力科创株式会社
- 当前专利权人地址: 日本东京都
- 代理机构: 北京尚诚知识产权代理有限公司
- 代理商 龙淳
- 优先权: 2006-248204 2006.09.13 JP; 2007-208863 2007.08.10 JP
- 主分类号: H01L21/00
- IPC分类号: H01L21/00 ; H01L21/67 ; H01L21/683
摘要:
本发明涉及半导体制造装置中的地震损害扩散降低方法及系统,可预知地震的发生,防止晶舟倒塌,将损害抑制至最小限度。其中,地震损害扩散降低系统(27)具有,接收基于经通信线路(26)发送的初期微动的紧急地震信息的接收部(28),或直接检测初期微动的初期微动检测部(60);控制部(29)根据接收的紧急地震信息或检测的初期微动停止半导体制造装置的运转的第一工序;和为了防止多层搭载被处理体的晶舟倒塌,以接触或非接触方式保持晶舟的第二工序。
公开/授权文献
- CN101150045A 半导体制造装置中的地震损害扩散降低方法及系统 公开/授权日:2008-03-26
IPC分类: