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发明授权
CN101027772B 在相同工艺流程内被独立访问的双栅和三栅晶体管及其制造方法 失效 - 权利终止

  • 专利标题： 在相同工艺流程内被独立访问的双栅和三栅晶体管及其制造方法
  • 专利标题（英）： Independently accessed double-gate and tri-gate transistors in same process flow
  • 申请号： CN200580032314.9
    申请日： 2005-09-29
  • 公开(公告)号： CN101027772B
    公开(公告)日： 2011-01-12
  • 发明人: B·多伊尔 , P·常
  • 申请人： 英特尔公司
  • 申请人地址： 美国加利福尼亚州
  • 专利权人： 英特尔公司
  • 当前专利权人： 英特尔公司
  • 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
  • 代理机构： 上海专利商标事务所有限公司
  • 代理商 张政权
  • 优先权： 10/955,670 2004.09.29 US
  • 国际申请： PCT/US2005/035380 2005.09.29
  • 国际公布： WO2006/039600 EN 2006.04.13
  • 进入国家日期： 2007-03-26
  • 主分类号： H01L21/84
  • IPC分类号： H01L21/84 ;  H01L21/336 ;  H01L27/12 ;  H01L29/786
在相同工艺流程内被独立访问的双栅和三栅晶体管及其制造方法
摘要：
描述了一种在同一工艺流程中制造的独立访问的双栅和三栅晶体管。一绝缘塞从I-栅器件而不是三栅器件的半导体主体上去除。这例如能够允许金属化以形成在三栅器件的三个侧面上，并允许用于I-栅器件的独立栅极。
摘要（英）：

An independent access, double-gate transistor and tri-gate transistor fabricated in the same process flow is described. An insulative plug is removed from above the semiconductor body of the I-gate device, but not the tri-gate device. This allows, for instance, metalization to form on three sides of the tri-gate device, and allowing independent gates for the I-gate device.

公开/授权文献
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K3/00，H05K13/00）
H01L21/77 ..在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理（电可编程只读存储器或其多步骤的制造方法入H01L27/115）
H01L21/78 ...把衬底连续地分成多个独立的器件（改变表面物理特性或者半导体形状的切割入H01L21/304）
H01L21/82 ....制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/84 .....衬底不是半导体的，例如绝缘体
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