发明授权
- 专利标题: 通过共注入而在基底中形成弱化区的方法
- 专利标题(英): Method for forming attenuation zone in substrate by co-implantation
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申请号: CN200380102438.0申请日: 2003-10-31
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公开(公告)号: CN100587940C公开(公告)日: 2010-02-03
- 发明人: B·阿斯帕 , C·拉格 , N·苏斯比 , J-F·米乔德
- 申请人: 原子能委员会
- 申请人地址: 法国巴黎
- 专利权人: 原子能委员会
- 当前专利权人: 原子能委员会
- 当前专利权人地址: 法国巴黎
- 代理机构: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理商 王杰
- 优先权: 02/13934 2002.11.07 FR
- 国际申请: PCT/FR2003/003256 2003.10.31
- 国际公布: WO2004/044976 FR 2004.05.27
- 进入国家日期: 2005-04-29
- 主分类号: H01L21/762
- IPC分类号: H01L21/762 ; H01L21/265
摘要:
本发明涉及一种薄层制造方法,其中,通过在基底(1)中注入化学物质产生弱化埋入区,以便之后可沿着所述弱化区开始所述基底(1)的断裂,以从其分离出所述薄层(6)。根据本发明,所述制造方法尤其包括以下步骤:a)在基底(1)中的主深度(5)的主化学物质(4)的主注入;b)在基底(1)中的不同于所述主深度(5)的次深度(3)的至少一种次化学物质(2)的至少一次次注入,其中所述次化学物质(2)在弱化基底(1)方面的效力不及主化学物质(4),并且其浓度高于主化学物质(4)的浓度;c)所述次化学物质(2)的至少一部分向主深度(5)附近迁移;以及d)沿着主深度(5)开始所述断裂。本发明同样涉及借助本发明方法获得的薄层。
公开/授权文献
- CN1708844A 通过共注入而在基底中形成弱化区的方法 公开/授权日:2005-12-14
IPC分类: