本发明涉及用于形成半导体器件的方法，包括：在包括高压和低压阱的半导体衬底表面上方沉积具有预定厚度并对应阱的高压区域的第一氧化层，然后形成第一光刻胶图案。使用第一光刻胶图案作为掩模执行蚀刻工序，以便选择性蚀刻第一氧化层直到部分暴露半导体衬底，以形成第一氧化层图案。使用第一光刻胶图案作为掩模沉积具有预定厚度并且对应阱的低压区域的第二氧化层。去除第一光刻胶图案、涂覆多晶硅层然后形成第二光刻胶图案。使用第二光刻胶图案作为掩模执行蚀刻工序，选择性蚀刻多晶硅层直到部分暴露第一氧化层图案和第二氧化层。去除第二光刻胶图案。使用多晶硅层、第一氧化层图案和第二氧化层作为硬掩模执行杂质离子注入工序，以形成漂移区域。