Invention Grant
- Patent Title: 基底处理装置
- Patent Title (English): Apparatus for processing substrate
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Application No.: CN200610002822.9Application Date: 2006-02-06
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Publication No.: CN100470752CPublication Date: 2009-03-18
- Inventor: 安基喆 , 郑领哲 , 河泰荣 , 张祯元 , 卢一镐 , 李承培
- Applicant: 细美事有限公司
- Applicant Address: 韩国忠清南道
- Assignee: 细美事有限公司
- Current Assignee: 细美事有限公司
- Current Assignee Address: 韩国忠清南道
- Agency: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司
- Agent 武玉琴; 黄永武
- Priority: 10-2005-0011334 2005.02.07 KR; 10-2005-0018240 2005.03.04 KR; 10-2005-0027022 2005.03.31 KR
- Main IPC: H01L21/677
- IPC: H01L21/677 ; H01L21/20 ; H01L21/31 ; H01L21/3205 ; H01L21/00 ; C23C14/00 ; C23C16/00

Abstract:
一种在用于有机发光二极管的基底上形成薄层的基底处理装置,该装置包括掩模安装室、沉积室和掩模拆卸室。所述掩模安装室、沉积室和掩模拆卸室的内部安装有传送导轨,而且,用于支撑基底的基底支架沿着传送导轨在这些室内或这些室之间移动。因此,缩短了用于处理基底的时间,并减小了上述装置所占的面积。另外,将上述这些室分成一个或多个组,并在分组的室之间安装闸门阀,以用于打开和关闭分组的室之间的通道。因此,在维修任意室时,其它室可以继续维持为真空状态。
Public/Granted literature
- CN1841696A 基底处理装置 Public/Granted day:2006-10-04
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IPC分类: