发明授权
CN100359596C 具有增强测试能力的半导体存储设备
失效 - 权利终止
- 专利标题： 具有增强测试能力的半导体存储设备
- 专利标题（英）： Semiconductor memory having enhanced testing power
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申请号： CN03158771.2申请日： 2003-09-24
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公开(公告)号： CN100359596C公开(公告)日： 2008-01-02
- 发明人: 李炳在
- 申请人： 海力士半导体有限公司
- 申请人地址： 韩国京畿道
- 专利权人： 海力士半导体有限公司
- 当前专利权人： 海力士半导体有限公司
- 当前专利权人地址： 韩国京畿道
- 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 郭定辉; 黄小临
- 优先权： 66919/02 2002.10.31 KR
- 主分类号： G11C7/24
- IPC分类号： G11C7/24 ; G11C11/4063 ; G11C11/413
摘要：
一种存储设备，包含至少一个具有第一和第二单元块的存储体，各存储体都含有多个单元阵列和用来译码输入的行地址及输出第一和第二单元块的列选择信号的第一和第二译码单元，还包含列地址传输单元、第一组合电路、第二组合电路、第一和第二输出端衰减器。该存储设备可以在较短时间内测试其单元。
公开/授权文献
- CN1499516A 具有增强测试能力的半导体存储设备 公开/授权日：2004-05-26
