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    Electronic device and method for operating the same
    5.
    发明授权
    Electronic device and method for operating the same 有权
    电子设备及其操作方法

    公开(公告)号：US09384828B2

    公开(公告)日：2016-07-05

    申请号：US14191300

    申请日：2014-02-26

    申请人： SK hynix Inc.

    发明人： Byoung-Chan Oh

    IPC分类号： G11C13/00 ,  G11C11/56 ,  G11C8/08 ,  G11C16/08

    CPC分类号： G11C11/5607 ,  G11C8/08 ,  G11C11/5678 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/004 ,  G11C16/08 ,  G11C2211/5643 ,  G11C2211/5645

    摘要： An electronic device including a semiconductor memory. The semiconductor memory includes a plurality of variable resistance elements; a plurality of read voltage application terminals configured to supply different levels of read voltages to respective one ends of the plurality of variable resistance elements; and an analog-to-digital conversion unit configured to generate multi-bit digital data corresponding to a total current which is acquired by summing currents flowing through the plurality of variable resistance elements.

    摘要翻译： 一种包括半导体存储器的电子设备。 半导体存储器包括多个可变电阻元件; 多个读取电压施加端子，被配置为向多个可变电阻元件的相应一端提供不同电平的读取电压; 以及模拟 - 数字转换单元，被配置为生成对应于通过对流过所述多个可变电阻元件的电流求和来获得的总电流的多位数字数据。

    ELECTRONIC DEVICE
    6.
    发明申请
    ELECTRONIC DEVICE 有权
    电子设备

    公开(公告)号：US20160019980A1

    公开(公告)日：2016-01-21

    申请号：US14867808

    申请日：2015-09-28

    申请人： SK hynix Inc.

    发明人： Hoe-Gwon Jeong

    IPC分类号： G11C29/12 ,  G11C13/00

    CPC分类号： G11C29/12 ,  G11C11/16 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/5607 ,  G11C11/5678 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C29/06 ,  G11C29/50008 ,  G11C2029/5002 ,  G11C2211/5643 ,  G11C2211/5645

    摘要： An electronic device comprising a semiconductor memory unit that may include a variable resistance element configured to be changed in a resistance value thereof in response to current flowing through both ends thereof, a toggle data generation unit configured to generate toggle data of which logic value toggles with a predetermined cycle, in a first mode for testing reliability of the variable resistance element, a data transfer line configured to transfer data inputted from an outside, and a driving unit configured to flow current which is changed in its direction with the predetermined cycle, through the variable resistance element in response to the toggle data in the first mode, and flow current through the variable resistance element in a direction determined in response to the data of the data transfer line, in a second mode in writing date into or reading data from the variable resistance element.

    摘要翻译： 一种电子设备，包括半导体存储器单元，其可以包括可变电阻元件，所述可变电阻元件被配置为响应于流过其两端的电流而改变其电阻值;触发数据生成单元，被配置为生成逻辑值切换的触发数据 在用于测试可变电阻元件的可靠性的第一模式中的预定周期，被配置为传送从外部输入的数据的数据传输线以及被构造成以预定周期在其方向上改变的流动的驱动单元，通过 可变电阻元件响应于第一模式中的触发数据，以及响应于数据传输线的数据确定的方向的流量通过可变电阻元件，以写入日期的第二模式或从其读取数据 可变电阻元件。

    Nonvolatile memory device and related method of operation
    8.
    发明授权
    Nonvolatile memory device and related method of operation 有权
    非易失存储器件及相关操作方法

    公开(公告)号：US09025376B2

    公开(公告)日：2015-05-05

    申请号：US14552586

    申请日：2014-11-25

    申请人： Samsung Electronics Co., Ltd.

    发明人： Jun-Kil Ryu

    IPC分类号： G11C11/56 ,  G11C7/00 ,  G11C16/04

    CPC分类号： G11C7/00 ,  G11C11/56 ,  G11C11/5628 ,  G11C16/04 ,  G11C2211/5621 ,  G11C2211/5641 ,  G11C2211/5643 ,  G11C2211/5648

    摘要： A memory device comprises a nonvolatile memory device and a controller. The nonvolatile memory comprises a first memory area comprising single-bit memory cells and a second memory area comprising multi-bit memory cells. The controller is configured to receive a first unit of write data, determine a type of the first unit of write data, and based on the type, temporarily store the first unit of write data in the first memory area and subsequently migrate the temporarily stored first unit of write data to the second memory area or to directly store the first unit of write data in the second memory area, and is further configured to migrate a second unit of write data temporarily stored in the first memory area to the second memory area where the first unit of write data is directly stored in the second memory area.

    摘要翻译： 存储器件包括非易失性存储器件和控制器。 非易失性存储器包括包括单位存储器单元的第一存储器区域和包括多位存储器单元的第二存储器区域。 控制器被配置为接收写数据的第一单元，确定写入数据的第一单元的类型，并且基于类型，将第一单元写入数据临时存储在第一存储器区域中，并且随后迁移临时存储的第一 将写入数据的单位写入第二存储器区域或者将第一单元写入数据直接存储在第二存储器区域中，并且还被配置为将临时存储在第一存储器区域中的第二写入数据单元迁移到第二存储区域， 写入数据的第一单元直接存储在第二存储器区域中。

    Data storage system having multi-bit memory device and operating method thereof
    9.
    发明授权
    Data storage system having multi-bit memory device and operating method thereof 有权
    具有多位存储装置的数据存储系统及其操作方法

    公开(公告)号：US08964468B2

    公开(公告)日：2015-02-24

    申请号：US14319137

    申请日：2014-06-30

    申请人： Samsung Electronics Co., Ltd.

    发明人： Sangyong Yoon ,  Kitae Park ,  Jinman Han ,  Wonseok Lee

    IPC分类号： G11C16/04 ,  G11C16/10 ,  G11C14/00

    CPC分类号： G11C16/10 ,  G11C11/56 ,  G11C11/5628 ,  G11C14/0018 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/26 ,  G11C2211/5641 ,  G11C2211/5642 ,  G11C2211/5643

    摘要： A data storage device includes a non-volatile memory device which includes a memory cell array; and a memory controller which includes a buffer memory. The operating method of the data storage device includes storing data in the buffer memory, and determining whether the data stored in the buffer memory is data accompanying a buffer program operation of the memory cell array. When the data stored in the buffer memory is data accompanying the buffer program operation, the method further includes determining whether a main program operation on the memory cell array is required, and when a main program operation on the memory cell array is required, determining a program pattern of the main program operation on the memory cell array. The method further includes issuing a set of commands for the main program operation on the memory cell array to the multi-bit memory device based on the program pattern.

    摘要翻译： 数据存储装置包括：非易失性存储装置，其包括存储单元阵列; 以及包括缓冲存储器的存储器控​​制器。 数据存储装置的操作方法包括将数据存储在缓冲存储器中，并且确定存储在缓冲存储器中的数据是否是伴随存储器单元阵列的缓冲器程序操作的数据。 当存储在缓冲存储器中的数据是伴随缓冲器程序操作的数据时，该方法还包括确定是否需要对存储单元阵列的主程序操作，以及当需要存储单元阵列的主程序操作时， 存储单元阵列中的主程序操作的程序模式。 该方法还包括基于该程序模式向存储单元阵列发出用于主程序操作的一组命令到多位存储器件。

    Protection against data corruption for multi-level memory cell (MLC) flash memory
    10.
    发明授权
    Protection against data corruption for multi-level memory cell (MLC) flash memory 有权
    防止多层存储单元（MLC）闪存中的数据损坏

    公开(公告)号：US08751735B2

    公开(公告)日：2014-06-10

    申请号：US14039585

    申请日：2013-09-27

    申请人： Marvell World Trade Ltd.

    发明人： Qun Zhao ,  Xinhai Kang

    IPC分类号： G06F12/00

    CPC分类号： G11C16/10 ,  G11C11/5628 ,  G11C16/349 ,  G11C2211/5641 ,  G11C2211/5643

    摘要： A system including a controller in communication with a memory. The memory includes memory cells arranged in memory blocks. Each memory cell is capable of storing a plurality of bits. Each memory block defines a plurality of pages. A page in a memory block includes one of the plurality of bits of a plurality of memory cells in the memory block. The controller is configured to write data to selected pages in one or more memory blocks. The system includes circuitry configured to write data from a predetermined number of pages of the selected pages to a memory block other than the one or more memory blocks in response to the predetermined number of pages being full of data. The predetermined number is based on one or more of a number of pages in each memory block and a number of bits in the plurality of bits.

    摘要翻译： 一种包括与存储器通信的控制器的系统。 存储器包括布置在存储块中的存储单元。 每个存储单元能够存储多个位。 每个存储器块定义多个页面。 存储器块中的页面包括存储器块中的多个存储器单元的多个位之一。 控制器被配置为将数据写入一个或多个存储器块中的选定页面。 该系统包括响应于预定数量的页面充满数据而将数据从所选择的页面的预定页数写入除一个或多个存储器块之外的存储器块的电路。 预定数量基于每个存储器块中的多个页面中的一个或多个以及多个位中的位数。