公开(公告)号：US07256955B2

公开(公告)日：2007-08-14

申请号：US10802217

申请日：2004-03-17

申请人： Taras G. Pokhil ,  Victor B. Sapozhnikov ,  Andrzej A. Stankiewicz ,  Janusz J. Nowak

发明人： Taras G. Pokhil ,  Victor B. Sapozhnikov ,  Andrzej A. Stankiewicz ,  Janusz J. Nowak

IPC分类号： G11B5/02 ,  G11B5/09

CPC分类号： G11B5/09 ,  G11B5/1278

摘要： Data is written to a magnetic media, by applying a magnetic write field to the magnetic media with a write pole, in conjunction with a high frequency magnetic field, to the magnetic media to assist writing to the magnetic media. The high frequency magnetic field is generated by applying a specific write current waveform to the magnetic writer, resulting in the generation of a high frequency magnetic write field.

摘要翻译： 数据被写入到磁性介质中，通过将写入磁极与磁性介质结合高频磁场施加到磁性介质上，以磁化介质来辅助磁介质的写入。 通过向磁性写入器施加特定的写入电流波形来产生高频磁场，从而产生高频磁性写入场。

公开(公告)号：US07093347B2

公开(公告)日：2006-08-22

申请号：US10728406

申请日：2003-12-05

申请人： Janusz J. Nowak ,  Konstantin R. Nikolaev ,  Khoung T. Tran ,  Mark T. Kief

发明人： Janusz J. Nowak ,  Konstantin R. Nikolaev ,  Khoung T. Tran ,  Mark T. Kief

IPC分类号： G11B5/127 ,  C25D21/12

CPC分类号： G11B5/3906 ,  Y10T29/49021 ,  Y10T29/49025 ,  Y10T29/49032 ,  Y10T29/49034 ,  Y10T29/49128 ,  Y10T29/49151 ,  Y10T428/1121

摘要： A magnetoresistive (MR) sensor having a decreased electrical profile due to a confining of the device sense current within a conductive nanoconstriction. The MR sensor includes a giant magnetoresistive (GMR) stack and a layer of high resistivity material within the GMR stack. The layer of high resistivity material includes a nanoconstriction precursor. When a punch current is applied at the nanoconstriction precursor, a conductive nanoconstriction is formed through the layer of high resistivity material at the nanoconstriction precursor.

摘要翻译： 由于在传导性纳米收集过程中限制了器件感应电流，所以具有降低的电气剖面的磁阻（MR）传感器。 MR传感器包括巨磁阻（GMR）堆叠和GMR堆叠内的高电阻率材料层。 高电阻率材料层包括纳米收集前体。 当在纳米收集前体施加冲击电流时，在纳米收集前体处通过高电阻率材料层形成导电纳米收缩。