公开(公告)号：US09425320B2

公开(公告)日：2016-08-23

申请号：US14189494

申请日：2014-02-25

Applicant: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.

Inventor： Chwee Iin Choong ,  Sang-won Kim ,  Jong-jin Park ,  Ji-hyun Bae ,  Jung-kyun Im ,  Sang-hun Jeon

IPC: H01L29/76 ,  H01L29/786 ,  H01L29/66 ,  H01L51/05 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/78603 ,  H01L29/0669 ,  H01L29/66742 ,  H01L51/0558

Abstract: Provided is a thin film transistor on fiber and a method of manufacturing the same. The thin film transistor includes a fiber; a first electrode, a second electrode and a gate electrode formed on fiber; a channel formed between the first and second electrodes; an encapsulant encapsulating the fiber, the first, second, and gate electrodes, and an upper surface of the channel; and a gate insulating layer formed in a portion of the inner area of the encapsulant.

Abstract translation: 提供了一种光纤上的薄膜晶体管及其制造方法。 薄膜晶体管包括光纤; 形成在纤维上的第一电极，第二电极和栅电极; 形成在第一和第二电极之间的通道; 封装光纤，第一，第二和栅电极以及通道的上表面的密封剂; 以及形成在所述密封剂的内部区域的一部分中的栅极绝缘层。