公开(公告)号：US20160093672A1

公开(公告)日：2016-03-31

申请号：US14499004

申请日：2014-09-26

Applicant: QUALCOMM Incorporated

Inventor： Xia LI ,  Daniel Wayne PERRY, JR. ,  Seung Hyuk KANG

IPC: H01L27/24 ,  G11C13/00 ,  H01L45/00

CPC classification number: H01L27/2418 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0069 ,  G11C17/165 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/04 ,  H01L45/122 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/145 ,  H01L45/16

Abstract: Methods and apparatuses, wherein the method includes providing a logic device. The method substantially surrounds a metal gate with a transition metal oxide on at least one side, wherein the transition metal oxide is comprised of hafnium oxalate and silicon dioxide. The method provides a bottom electrode (BE), wherein the BE is comprised of at least one of silicon or tungsten.

Abstract translation: 方法和装置，其中所述方法包括提供逻辑装置。 该方法基本上围绕在至少一侧上具有过渡金属氧化物的金属栅极，其中过渡金属氧化物由草酸铪和二氧化硅组成。 该方法提供底电极（BE），其中BE由硅或钨中的至少一种构成。