公开(公告)号：US20130237011A1

公开(公告)日：2013-09-12

申请号：US13679311

申请日：2012-11-16

Applicant: SAMSUNG DISPLAY CO., LTD. ,  KOREAN ADVANCED INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOL

Inventor： Yeon-Taek JEONG ,  Bo-Sung KIM ,  Doo-Hyoung LEE ,  Seung-Ho JUNG ,  Tae-Young CHOI ,  Doo-Na KIM ,  Byeong-Soo BAE ,  Chan-Woo YANG ,  Byung-Ju LEE ,  Kang-Moon JO ,  Young-Hwan HWANG ,  Jun-Hyuck JEON

IPC: C09D1/00 ,  H01L29/66

CPC classification number: C09D1/00 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: A method of manufacturing a thin-film transistor substrate includes: applying a composition on a substrate to form a thin-film on the substrate, heating the thin-film, and patterning the thin-film to form an oxide semiconductor pattern. The composition includes a metal nitrate and water. The potential of hydrogen (pH) of the composition is about 1 to about 4.

Abstract translation: 制造薄膜晶体管基板的方法包括：在基板上涂布组合物以在基板上形成薄膜，加热薄膜，并对薄膜进行构图以形成氧化物半导体图案。 该组合物包括金属硝酸盐和水。 组合物的氢（pH）的电位为约1至约4。