公开(公告)号：US20060131589A1

公开(公告)日：2006-06-22

申请号：US11195407

申请日：2005-08-02

申请人： Anthony Caruso ,  Peter Dowben ,  Jennifer Brand

发明人： Anthony Caruso ,  Peter Dowben ,  Jennifer Brand

IPC分类号： H01L31/0312 ,  H01L29/82 ,  H01L23/58

CPC分类号： G01T3/08 ,  H01L31/0312 ,  H01L31/115

摘要： Boron carbide heteroisomer semiconductor devices are used as particle detectors. The boron carbide semiconductor devices produce electric current in response to incident particles, such as alpha particles, neutrons, or photons.

摘要翻译： 碳化物异质体半导体器件用作粒子检测器。 碳化硼半导体器件响应于诸如α粒子，中子或光子的入射粒子产生电流。

公开(公告)号：US20060138430A1

公开(公告)日：2006-06-29

申请号：US11195408

申请日：2005-08-02

申请人： Jennifer Brand ,  Anthony Caruso ,  Peter Dowhen

发明人： Jennifer Brand ,  Anthony Caruso ,  Peter Dowhen

IPC分类号： H01L31/0312

CPC分类号： H01L31/032 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/26 ,  H01L29/45 ,  H01L29/73 ,  H01L29/861

摘要： Semiconductor devices formed using boron carbide heteroisomer junctions or interfaces are provided. The boron carbide heteroisomer junction devices can be incorporated into diodes and transistors.

摘要翻译： 提供了使用碳化硼杂质连接或界面形成的半导体器件。 碳化硼异质结结器件可以并入二极管和晶体管中。