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公开(公告)号：CN119230644A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202310781178.3
申请日：2023-06-28
Applicant: 松山湖材料实验室
IPC: H01L31/112 , H01L31/101 , H01L31/18
Abstract: 本申请涉及一种光电晶体管及其制备方法、光电探测器件。该光电晶体管包括衬底、源电极、漏电极、沟道层、绝缘介质层、半导体层和栅电极；源电极和漏电极间隔设置于衬底的一个表面上；沟道层设置于衬底的表面上且位于源电极和漏电极之间，沟道层与源电极和漏电极相连接；沟道层的远离衬底的表面上依次层叠设置有绝缘介质层、半导体层和栅电极；半导体层的带隙宽度大于沟道层的带隙宽度。在相对较短波长的光辐照下，半导体层起主要作用，导致栅压的重新分配，在相对较长波长的光辐照下，沟道层起主要作用，导致沟道载流子浓度的增加，即在两个不同波长的光辐照下，根据光电流和暗电流的大小关系，能够实现对不同波长的光的识别。
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公开(公告)号：CN119170682A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411310506.2
申请日：2024-09-19
Applicant: 山东云海国创云计算装备产业创新中心有限公司
IPC: H01L31/101 , H01L31/0304 , H01L31/0352
Abstract: 本申请公开了一种双色红外探测器，通过采用GaSb衬底、GaSb缓冲层、外延薄膜、第一电极和第二电极，GaSb衬底、GaSb缓冲层及外延薄膜依次层叠设置，外延薄膜包括依次层叠的第一接触层、长波吸收层、中波吸收层、第二接触层；第一接触层与GaSb缓冲层接触；以外延薄膜为基础进行刻蚀形成台阶，台阶的深度至第一接触层，第一电极与第一接触层导通，第二电极与第二接触层导通，最终形成双色红外探测器结构，其中，以12ML InAs/2ML InAs0.5Sb0.5超晶格作为中波吸收层的材料，与长波吸收层之间形成了良好的晶格匹配，减少了由于晶格失配导致的界面缺陷和应力积累，也为后续外延层的生长提供了平滑、均匀的界面，从而能够降低外延层的生长难度。
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公开(公告)号：CN118738032B
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202411230589.4
申请日：2024-09-04
Applicant: 芯思杰技术(深圳)股份有限公司
IPC: H01L25/04 , H01L31/101
Abstract: 本申请提供了光电探测芯片、距离传感器及电子设备。光电探测芯片包括衬底、第一子芯片、N电极层、及第二子芯片。第一子芯片设于衬底的一侧。N电极层设于第一子芯片背离衬底的一侧。第二子芯片设于N电极层背离衬底的一侧。其中，第一子芯片与第二子芯片均通过N电极层传输载流子。本申请提供了光电探测芯片、距离传感器及电子设备，通过采用两个子芯片共用N电极层，各自采用子P电极层分别输出，再将电信号汇聚至总P电极部输出的方式，在使用单一芯片量子效率不变的情况下，使光电探测芯片的响应度输出变成了两个芯片响应度之和，提高了光电探测芯片的响应度，从而提高了光电探测芯片的探测灵敏度。
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公开(公告)号：CN118969894A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411016870.8
申请日：2024-07-29
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/101 , H01L31/0232 , H01L31/0352 , H01L31/18 , G01J4/04 , G01J1/42
Abstract: 本发明公开了一种具有双光栅结构的量子阱红外偏振探测器及其制备方法，该探测器芯片包括基板，铟柱，带有线光栅结构的量子阱探测器和集成的金属线偏振光栅，量子阱偏振探测器与基板之间通过铟柱互连，这种偏振探测器的特征在于它的像元具有集成的双光栅结构。按照制备顺序，第一层光栅是在GaAs材料上采用刻蚀的方法得到的介质光栅；第二层光栅是在去除GaAs衬底的探测器的光线入射面采用电子束蒸发生长的金属光栅。这种具有集成双光栅的偏振红外探测器的优点是：双层光栅能够实现精确调控量子阱芯片单个像元内部的光场，提高量子阱红外偏振探测的消光比。
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公开(公告)号：CN118910735A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410959660.6
申请日：2024-07-17
Applicant: 安徽工程大学
IPC: C30B29/22 , C30B7/10 , H01L33/26 , H01L31/101 , C09K11/74
Abstract: 本发明涉及无铅双钙钛矿发光材料技术领域，具体涉及一种无铅双钙钛矿单晶发光材料及其制备方法和应用，本发明以Cs2AgBiCl6为双钙钛矿基质，通过水热法掺杂In得到新型无铅双钙钛矿单晶发光材料，首次报道了具有间接带隙的无铅双钙钛矿的明亮发光，与非掺杂的Cs2AgBiCl6或Cs2AgInCl6相比，Cs2AgIn0.8Bi0.2Cl6的发光强度提高了100倍以上，研究结果表明，适宜的Bi/In比例打开了辐射跃迁的通道，除了带隙类型和跃迁宇称外，跃迁矩阵元也是决定双钙钛矿光电性能的重要因素，在设计用于光电领域的无铅双钙钛矿时，应考虑到跃迁矩阵元对其光电性能的影响。
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公开(公告)号：CN118888635A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410927171.2
申请日：2024-07-11
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/101 , H01L31/0288 , C30B25/10 , C30B25/16
Abstract: 本发明公开了一种界面电场可调的阻挡杂质带甚长波红外探测器外延方法，所述方法包括以下步骤：将衬底放入MBE腔体内，衬底温度设置为570～590℃，Ga源温度为650～670℃；同时打开硅电子束的挡板和镓源的挡板，进行吸收层的外延；生长吸收层后，同时关闭Ga挡板、关闭衬底挡板、改变衬底温度在560～660℃范围内，进行阻挡层的外延，实现不同的界面宽度。在外延高掺阻挡层时，基于不同衬底温度，可以实现界面浓度渐变梯度，从而实现界面宽度可调。分子束外延的温度整体偏低，因此可以降低长时间外延导致大的扩散宽度影响。
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公开(公告)号：CN118867009A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410886707.0
申请日：2024-07-03
Applicant: 华南师范大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/0392 , H01L31/101 , H01L31/18 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , G06N3/067 , G06N3/049 , G06V10/82 , G06V10/94
Abstract: 本发明提供了一种柔性神经形态器件、制备方法及其阵列，包括，云母片衬底，位于衬底上用“一步法”制备的γ‑石墨二炔(GDY)层，位于GDY层两端的第一电极和第二电极；该神经形态器件在近紫外、可见光和近红外波段有良好的光电响应，当施加偏压处于较大值，器件在正负偏压下都表现为正光电响应；该神经形态器件实现了短时程增强、长时程增强、双脉冲易化等生物突触可塑性，实现了从短时程记忆向长时程记忆的转化，同时完成了图像预处理、颜色识别、及人类学习过程中的“注意”和“知觉的恒常性”，具有传感‑存储‑预处理‑部分人脑功能模拟等功能于一体，为实现低功耗、实时响应、多功能的神经形态光子学的发展提供了新的可能。
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公开(公告)号：CN114551627B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202011255911.0
申请日：2020-11-11
Applicant: 光宝光电(常州)有限公司 , 光宝科技股份有限公司
IPC: H01L31/101 , H01L31/0203 , H01L31/0232
Abstract: 本发明公开一种光感测模块。光感测模块用于接受一第一光束，并产生与所述第一光束的强度相对应的一电流。光感测模块包括一载体、一光电二极管芯片以及一光波长转换结构，光电二极管芯片设置于所述载体上，光波长转换结构设置于所述载体上并覆盖所述光电二极管芯片上。其中，所述第一光束通过所述光波长转换结构而转换成一第二光束，所述光电二极管芯片接收所述第二光束并产生所述电流。
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公开(公告)号：CN113972293B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202111132346.3
申请日：2021-09-26
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/101 , H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于光电探测器的技术领域，公开了一种二硒化钼/InGaN多光谱光电探测器及其制备方法与应用。所述光电探测器包括从下到上依次排布的衬底、缓冲层、InGaN层和MoSe2层，MoSe2层部分覆盖InGaN层；光电探测器还包括阻隔层和电极层；阻隔层设置在未被MoSe2层覆盖的InGaN层及部分MoSe2层上，电极层设置在阻隔层上并覆盖部分MoSe2层上裸露部分。本发明还公开了探测器的制备方法。本发明的探测器实现红光与蓝光同时探测；在探测芯片表面进行增敏微纳结构设计，提升了蓝光与红光波段的量子效率，增强蓝光与红光谐振吸收，实现高灵敏度高带宽探测。本发明的探测器用于蓝光和/或红光多频谱光电探测。
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公开(公告)号：CN118748222A
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202410738274.4
申请日：2024-06-07
IPC: H01L31/18 , H01L31/101
Abstract: 本发明公开了一种Si基GaN紫外探测器的制备方法及其应用，属于半导体光电器件技术领域。本发明提供的制备方法包括以下步骤：S1.依次在Si基衬底表面设置AlN缓冲层和AlGaN缓冲层；S2.在所述AlGaN缓冲层表面设置GaN层，并于1000～1100℃真空退火；S3.在所述GaN层表面设置电极。本发明提供的制备方法，能够有效提高Si基GaN紫外探测器的光电流和响应度。本发明还提供了上述制备方法的应用。
