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公开(公告)号：CN113725232B
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202111009749.9
申请日：2021-08-31
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 成都京东方光电科技有限公司
IPC: H10D86/60 , H01L21/77 , H10K59/12 , H10K59/80 , H10K59/131 , H10K59/122
Abstract: 本发明提供了一种显示基板及其制作方法、显示装置，属于显示技术领域。显示基板包括：衬底；位于所述衬底上的第一走线；位于所述第一走线远离所述衬底一侧的第一有机层，所述第一有机层包括第一子开口；位于所述第一有机层远离所述衬底一侧的第一无机层，所述第一无机层包括第二子开口，所述第二子开口和所述第一子开口组成开口；位于所述第一子开口和所述第二子开口的侧壁上的第二走线，所述第二走线与所述第一走线连接；其中，所述第一子开口的侧壁在所述衬底上的第一正投影位于所述第二子开口的侧壁在所述衬底上的第二正投影限定的区域内，且所述第一正投影的外边界不超出所述第二正投影的内边界。本发明能够减小显示装置的下边框。
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公开(公告)号：CN119530779A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411715954.0
申请日：2024-11-27
Applicant: 乐金显示光电科技(中国)有限公司
Inventor： 冯天颖
Abstract: 本发明公开了一种显示面板断线修复设备控制方法、装置、设备和存储介质，包括：在化学气相沉积设备的激光束以第一修复孔为起点，以第一速度扫描在非金属层上沉积修复层的过程中，控制传感器采集检测数据，根据检测数据判断激光束是否扫描到断口，若是，控制激光束以第二速度在断口扫描以沉积修复层，其中，第二速度小于第一速度，在激光束对断口扫描结束后以第二修复孔为终点且以第一速度扫描在非金属层上沉积修复层。实现了实时检测断口并在断口处降低扫描速度，激光束在断口的停留时间增加，能够在断口通过化学气相沉积工艺充分沉积形成完整的修复层，使得断口处所形成的沉积层能够完整的连接断口两侧的金属层，提高了金属层断线修复的成功率。
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公开(公告)号：CN115948745B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202211701044.8
申请日：2022-12-28
Applicant: 武汉迪赛环保新材料股份有限公司
Abstract: 本发明涉及湿电子化学品技术领域，具体公开了一种用于TFT‑LCD面板的蚀刻液及其在蚀刻多层含合金层的铜制程面板中的应用，一种多层含合金层的铜制程面板TFT‑LCD中可控制蚀刻参数的稳定性，可延长蚀刻寿命的蚀刻液。该蚀刻液以双氧水为主要氧化剂，由有机酸与缓蚀剂对铜层速度的调控，来控制蚀刻锥角可以为30‑40°、40‑50°、50‑60°、60‑70°切换；金属残留去除剂可去除钼或钛或钛合金的残留，同时无底切，由缓冲对与金属螯合剂共同作用控制着铜负载带来的蚀刻过程角度以及CD损失的变化，pH为4.0‑6.5，可以负载铜粉达7000ppm，有效地延长了蚀刻寿命，提高了蚀刻效率。该蚀刻液可适用于铜/钼、铜/合金层以及多层制程的面板中。
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公开(公告)号：CN114512447B
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202011170771.7
申请日：2020-10-28
Applicant: 长鑫存储技术有限公司
Abstract: 本发明实施例提供一种半导体装置及其制作方法，半导体装置包括半导体基底、形成在半导体基底中的集成电路区域以及一个或多个密封环，一个或多个密封环设于半导体基底中，且围绕集成电路区域的周边布置，用以防护集成电路区域；其中，密封环具有波浪形结构。
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公开(公告)号：CN119422460A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202380041814.7
申请日：2023-06-12
Applicant: 桑迪士克科技有限责任公司
Inventor： 松野光一
Abstract: 一种三维存储器器件包括层堆叠，这些层堆叠中的每个层堆叠包括第一绝缘层和第一导电层的第一层交替堆叠以及第二绝缘层和第二导电层的第二层交替堆叠，该第一层交替堆叠和该第二层交替堆叠由背侧沟槽分开。存储器开口填充结构竖直延伸穿过相应层堆叠，并且包括存储器元件的相应竖直堆叠和相应竖直半导体沟道。在一个实施方案中，桥结构跨越该背侧沟槽的整个宽度，使得该桥结构的顶部表面位于该第二层交替堆叠的顶部表面下方，并且该桥结构的底部表面位于该第一层交替堆叠的底部表面上方。在另一个实施方案中，穿孔桥结构包括多个竖直延伸开口。
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公开(公告)号：CN119421491A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202310755707.2
申请日：2023-06-25
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 武汉京东方光电科技有限公司
IPC: H10D86/00 , H01L21/77 , H10K59/131 , H10K59/12
Abstract: 提供一种显示基板及其制造方法、显示装置。显示基板包括：衬底基板；第一导电层，设置在衬底基板的一侧，第一导电层包括第一电极；第二导电层，设置在第一导电层远离衬底基板的一侧，第二导电层包括栅电极；半导体层，设置在第二导电层远离衬底基板的一侧，半导体层在衬底基板上的正投影位于第二导电层在衬底基板上的正投影内；第三导电层，设置在半导体层远离衬底基板的一侧，第三导电层包括在衬底基板上的正投影位于第一电极在衬底基板上的正投影内的转接部；钝化层；第一电极过孔，贯穿钝化层，第一电极过孔的开口面积从远离衬底基板的方向朝向靠近衬底基板的方向逐渐减小，暴露的转接部构成第一电极过孔的过孔侧壁的一部分。
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公开(公告)号：CN119361539A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202410949234.4
申请日：2024-07-16
Applicant: 三星显示有限公司
Inventor： 全保建
Abstract: 一种显示装置的制造方法，包括：准备包括金属图案的基板；形成被设置在基板上并且包括第一区和第二区以及在第一区与第二区之间的第一沟道区的第一有源图案；在第一有源图案上形成第一栅电极图案；在第一栅电极图案上形成第二有源图案；形成与第一区和第二区重叠的蚀刻停止图案；形成覆盖蚀刻停止图案的层间绝缘层；限定使蚀刻停止图案暴露的第一孔和穿透层间绝缘层的第二孔；限定使基板的顶表面暴露的第三孔；限定穿透蚀刻停止图案的第四孔和使金属图案暴露的第五孔；在金属图案上形成金属图案连接电极；以及在金属图案连接电极上形成发光器件。
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公开(公告)号：CN114975487B
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202210707512.6
申请日：2022-06-21
Applicant: TCL华星光电技术有限公司
Abstract: 本申请实施例公开了一种阵列基板及其制备方法、显示面板，该阵列基板包括：衬底；导电薄膜层，设置在衬底上；第一遮光层、第二遮光层和第三遮光层，第一遮光层、第二遮光层和第三遮光层均设置在导电薄膜层远离衬底一侧，第一遮光层和第二遮光层在衬底的正投影区域位于导电薄膜层在衬底的正投影区域内，第一遮光层和第二遮光层均为导体材料；阵列器件层，阵列器件层中的一个像素单元包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管，第一遮光层位于衬底与第一薄膜晶体管之间，第二遮光层位于衬底与第二薄膜晶体管之间，第三遮光层位于衬底与第三薄膜晶体管之间。本申请避免了连接第一遮光层和第二遮光层的金属走线与其他金属走线短路。
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公开(公告)号：CN119214661A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411351540.4
申请日：2024-09-25
Applicant: 临港国家实验室
Abstract: 本公开涉及柔性主动神经电极及其制备方法。一种柔性神经电极，包括：柔性衬底；位于柔性衬底上的薄膜晶体管；控制信号线，控制信号线与薄膜晶体管的栅极连接以用于向薄膜晶体管的栅极施加控制信号；电极位点，电极位点用于采集电信号并且与薄膜晶体管的源极连接；神经信号线，神经信号线与薄膜晶体管的漏极连接以用于传输电信号，其中，在控制信号使得薄膜晶体管导通的情况下，神经信号线经由薄膜晶体管接收电信号。
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公开(公告)号：CN119212470A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411356528.2
申请日：2024-09-25
Applicant: 合肥维信诺科技有限公司
Inventor： 许永磊
IPC: H10K59/123 , H10K59/124 , H10K59/12 , H01L27/12 , H01L21/77
Abstract: 本申请涉及一种显示面板及其制作方法。显示面板包括显示区、过渡区和孔区，显示区环绕孔区，过渡区位于孔区和显示区之间。显示面板包括衬底和隔离柱，隔离柱设于衬底的一侧，隔离柱设于过渡区，隔离柱包括主体部和第一阻挡部，第一阻挡部覆盖于主体部远离衬底的一侧，第一阻挡部在衬底上的正投影沿孔区的径向超出主体部在衬底上的正投影，主体部和第一阻挡部的材料为无机绝缘材料。本申请通过采用无机绝缘材料形成隔离柱的主体部和第一阻挡部，可以避免隔离柱发生电化学腐蚀，从而避免显示面板封装失效的潜在风险，进而提高了显示面板的性能。
