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公开(公告)号：CN119534393A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411679710.1
申请日：2024-11-22
Applicant: 中国航发沈阳黎明航空发动机有限责任公司
Abstract: 本发明属于航空发动机压气机叶片识别技术领域，特别是涉及一种航空发动机的压气机转子叶片吸光膜识别法及该膜的制备。关于航空发动机动平衡中转子系统的振动相位特征，目前主要通过增加相位测试试车来识别叶片键相，而单次发动机试车成本高达近百万元。针对上述问题，本发明采用多弧离子镀技术，在选取的若干片转子叶片上沉积Cr膜和CrN膜构成的吸光薄膜，再用键相传感器向转子叶片发射激光并接收叶片叶尖扫过时反射的光信号，表面沉积有吸光薄膜的叶片其反射的光信号强度降低，形成吸光区，与其他未沉积该吸光薄膜的叶片反射的光信号强度形成差异，由此实现不同转子叶片的有效区分和识别。
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公开(公告)号：CN115458635B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202211268209.7
申请日：2022-10-17
Applicant: 陕西科技大学
Abstract: 本发明属于可见光通信用光电探测器技术领域，具体涉及一种等离子体增强MoS2光电探测器的制备方法，包括以下步骤：首先从块状MoS2上机械剥离出MoS2薄膜，并转移至Si/SiO2衬底上，采用磁控溅射在MoS2薄膜镀Cr/Au电极；采用磁控溅射在Si/SiO2基板镀一层Au薄膜，之后经过600‑800℃真空退火，使得Au薄膜形成均匀的Au纳米颗粒；在金纳米颗粒上旋涂PMMA薄膜，去掉SiO2，之后转移至Au电极上，去掉PMMA，即可制得等离子体MoS2光电探测器；本发明方法具有工艺简单，可控的优点，不需要严苛的生长环境，对于实现高灵敏度可见光通信用光电探测器器件具有重要意义。
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公开(公告)号：CN112424968B
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN201880095750.8
申请日：2018-07-19
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 显示设备(1)在阳极(4)与发光层(8R/8G/8B)之间具备多个子像素(2R/2G/2B)共用的空穴输送层(6C)，在该共用空穴输送层与所述发光层之间，针对所述多个子像素的每一个子像素单独地具备单独空穴输送层(6P)。所述共用空间输送层使用第一空穴输送层材料来构成。第一颜色的子像素(2B)所具备的第一单独空穴输送层(6B)使用第二空穴输送层材料来构成。第二颜色的子像素(2R/2G)所具备的第二单独空穴输送层(6R/6G)使用所述第一空穴输送层材料与所述第二空穴输送层材料的混合材料来构成。
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公开(公告)号：CN119096003A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202280079292.5
申请日：2022-11-28
Inventor： 斯里达尔·帕卡纳蒂 , 斯里尼瓦桑·斯瓦米纳坦 , 阿林丹·戈什 , 安巴里什·戈什 , G·H·尼兰贾纳·穆尔蒂
IPC: C23C16/00 , C23C14/00 , G06K19/00 , G06Q10/08 , B42D25/36 , B42D25/305 , B42D25/445
Abstract: 提供一种标记、系统以及创建和利用含有识别信息的标记的方法。实施方式包括识别标记，其由高温材料组成，用于在高温环境中追踪部件。标记可设置在部件上，使得标记经历高温的同时固定在部件上。标记可提供追踪与标记附接的部件历史，用于进行维护。
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公开(公告)号：CN119061355A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202310642023.1
申请日：2023-06-01
Applicant: 联芯集成电路制造(厦门)有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体清洁步骤，包含提供一腔体，腔体包含有一底面以及一侧壁，腔体中包含有一加热器位于底面，进行一第一沉积步骤，以在腔体的侧壁上留下一残留层，进行一碳沉积步骤，以至少在加热器的表面上形成一碳层，以及进行一等离子体清洁步骤，以同时移除腔体的侧壁上的残留层以及底面上的碳层。
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公开(公告)号：CN118900930A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202380029051.4
申请日：2023-02-22
Applicant: FHR设备制造有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于保护涂覆源中的氧敏感的靶材的方法和装置。本发明的目的在于，提供一种方法以及一种布置结构，借助它们可以保护涂覆源的反应性的、尤其是氧敏感的靶材免受污染和不期望的反应，该目的通过一种方法得以实现，其中，首先活门密封地封闭涂覆源，并且使保护气体通过气体入口引入到涂覆源空间中，该涂覆源空间通过涂覆源和活门形成。在此，相对于在处理室内部的真空室压力设定在涂覆源空间中的过压。接着，将另一气体引入到处理室中以用于引起反应，也就是说中和处理室中的涂层。现在，处理室被通风以空气或氮气，而不发生不期望的反应。处理室随后朝向大气打开，即处理室的门朝向周围环境打开，其中于是始终维持相对于涂覆源空间中的气氛的过压。
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公开(公告)号：CN118897354A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202310484374.4
申请日：2023-04-28
Applicant: 国科光芯金杏(北京)实验室科技有限公司
IPC: G02B6/10 , G02B6/12 , G02B6/13 , G02B6/136 , G02F1/125 , C23C28/04 , C23C14/00 , C23C14/06 , C23C16/40 , C23C16/34
Abstract: 一种复合光波导结构，复合光波导结构包括衬底、下包层、形成于复合光波导层的复合光波导芯和上包层；下包层、复合光波导层、上包层依次层叠设置于衬底；所述复合光波导层由压应力层和张应力层构成，压应力层设置于张应力层和下包层之间，且压应力层和张应力层的厚度经设计为其形成的压应力和张应力相匹配，以便沉积形成平整的光学膜层。利用压应力层平衡张应力层的拉应力，缓解张应力层高的拉应力导致衬底的翘曲问题，保证后续的光刻、刻蚀工艺正常进行，确保光波导的尺寸精度。
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公开(公告)号：CN115295677B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202210996460.9
申请日：2022-08-19
Applicant: 上海电机学院
IPC: H01L31/18 , C23C14/00 , C23C14/04 , C23C14/08 , C23C14/18 , C23C14/28 , C23C14/35 , C30B25/02 , C30B29/40 , H01L31/109
Abstract: 本发明公开了高响应度β‑Ga2O3基异质结自供能紫外探测器及其制备方法和应用，属于半导体光电器件领域。该紫外探测器由下至上包括依次层叠设置的衬底、第一电极、p型宽禁带导电薄膜、本征β‑Ga2O3薄膜耗尽层、n‑β‑Ga2O3:Sn导电薄膜、n+‑β‑Ga2O3:Sn电子收集层、MgO:Na或MgO:K薄膜钝化层和第二电极，p禁带导电薄膜的禁带宽度大于3.0eV。本发明利用化学气相沉积、金属有机物气相外延、脉冲激光沉积等真空制膜方法得到高响应度β‑Ga2O3基异质结自供能紫外探测器，有效提高了β‑Ga2O3基异质结薄膜紫外探测器的响应度，应用在日盲波段探测方面前景广阔。
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公开(公告)号：CN118444497A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202310069474.0
申请日：2023-02-06
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于Ge8Sb2Te11的具有动态调色性能的平面多层膜。所述基于Ge8Sb2Te11的具有动态调色性能的平面多层膜包括：衬底，以及依次形成在衬底表面的金属反射层、Ge8Sb2Te11相变材料层和透明保护层。
