用于生产碳纳米管的方法和由该方法生产的碳纳米管产物

    公开(公告)号:CN119278182A

    公开(公告)日:2025-01-07

    申请号:CN202280095050.5

    申请日:2022-02-18

    Abstract: 根据本发明的方面涉及用于生产碳纳米管(CNT)的方法,所述方法包括下述步骤:通过在催化化学气相沉积(CCVD)反应中使气态碳化合物反应来形成和生长CNT;通过施加低温条件抑制CNT的生长;并且机械搅拌CNT,其中在所述抑制CNT的生长的同时进行所述CNT的机械搅拌或就在所述抑制CNT的生长之后进行所述CNT的机械搅拌。

    一种高分散碳纳米管导电浆料及其制备方法

    公开(公告)号:CN116759136B

    公开(公告)日:2024-11-15

    申请号:CN202310729065.9

    申请日:2023-06-16

    Abstract: 本发明涉及导电浆料技术领域,具体为一种高分散碳纳米管导电浆料及其制备方法;所述高分散碳纳米管导电浆料按质量含量100%计,包括以下组分:0.8~8wt%碳纳米管、0.07~3wt%高效分散剂、0.05~1.5wt%协效分散剂、余量为溶剂;本发明所制备的高效分散剂与协效分散剂之间的协同配合作用不仅使得碳纳米管由团聚的无序状态逐渐向平顺有序的状态过渡,同时也有效地增加了碳纳米管的堆积密度,降低了碳纳米管分散时产生的粘度阈值,有效地提高了其分散性能;由此可知,本申请所制备的碳纳米管导电浆料不仅具有优良的导电性能,同时还具有有优异的分散性能及稳定性能,有效地保证了其质量或品级。

    一种掺杂型聚离子材料、制备方法及应用

    公开(公告)号:CN116632230A

    公开(公告)日:2023-08-22

    申请号:CN202310368587.0

    申请日:2023-04-07

    Inventor: 徐雄文 涂健

    Abstract: 本发明公开一种掺杂型聚阴离子正极材料、制备方法及应用,所述掺杂型聚阴离子正极材料的化学通式为NanMxV2‑x(PO4)3,式中,M为Mn、Cu、Ni、Zn、Mg、Sr、Fe、Al、Cr、Ti、Zr、Sn、Si、Sb、Nb、Ta、Mo、W中的至少5种,其中,2<n<4,0.05≤x≤0.3,或化学通式为NanMxFe3‑x(PO4)2‑y(AO4)yP2O7,式中,M为Mn、Cu、Ni、Zn、Mg、Sr、Fe、Al、Cr、Co中的至少一种,A为Si、B、S、Mo、W中的至少一种,其中,3.5<n<4.5,0.03≤x≤0.6,0.01≤y≤0.2。NanMxV2‑x(PO4)3为NASICON结构,NanMxFe3‑x(PO4)2‑y(AO4)yP2O7为正交晶型结构。本发明所述材料用于钠离子电池中,具有高容量、高倍率、长寿命等优点。

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