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公开(公告)号：CN119030465A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411065276.8
申请日：2024-08-05
Applicant: 成都通量科技有限公司
Inventor： 赵一辰
Abstract: 本发明公开了一种紧凑面积的低噪声放大器电路，利用了多电感间耦合的原理，将传统独立的多个电感放入同一个电感面积内，解决了传统设计CG+CS结构的低噪声放大器的时候，多个电感占用面积较大的问题，同时也不存在多耦合电感设计复杂的问题。
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公开(公告)号：CN118731859A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410859246.8
申请日：2024-06-28
Applicant: 成都通量科技有限公司
IPC: G01S7/28
Abstract: 本发明公开了一种基于窄脉冲调制的低功耗雷达传感器系统，涉及雷达传感器技术领域。其中，低压差线性稳压电源用于为系统中所有有源器件提供供电偏置点；射频收发模块用于实现发射信号的产生、接收，采样保持模块用于实现对被采样有用信号的采样保持，电源调制模块用于实现射频收发模块的电源供电并确保射频收发模块工作在脉冲调制模式下且能够快速的启动和关断，脉冲控制模块用于根据系统功耗需求产生特定周期和占空比的调制信号。本发明采用脉冲调制的工作方式，使雷达传感器系统中功耗较大的部分工作在周期性脉冲工作状态下，在保证检测性能的情况下实现低功耗的目的。
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公开(公告)号：CN114759879B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202210549941.5
申请日：2022-05-20
Applicant: 成都通量科技有限公司
IPC: H03B19/14
Abstract: 本发明提供一种基于push‑push的二三倍频器，包括NMOS晶体管M1、NMOS晶体管M2、中和电容Cp1、中和电容Cp2、变压器TR2；变压器TR1的初级线圈一端连接Port_I N端，另一端接地，变压器TR1的次级线圈一端接NMOS晶体管M1的栅极、中和电容Cp1的一端，变压器TR1的次级线圈另一端接NMOS晶体管M2的栅极，中和电容Cp2的一端。本发明基于push‑push结构，同时加入中和电容，提高了该倍频器的转化增益。同时利用变压器来区分和提取二次信号、三次信号。对于三次信号，采用I LB进行缓冲放大，提高了三次谐波信号的基波抑制度。同时输出二次和三次信号，提高了电路的输出带宽，该结构降低了整体版图面积和功耗。
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公开(公告)号：CN117856762B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410253576.2
申请日：2024-03-06
Applicant: 成都通量科技有限公司
Inventor： 金斌杰
Abstract: 本发明公开了一种基于功分器架构的双向有源中和移相器，涉及通信信号处理领域，包括控制电路，以及依次连接的正交信号发生器、第一双向匹配网络、双向可变增益放大网络、第二双向匹配网络和功分器；双向可变增益放大网络包括四路双向可变增益放大器，其中两路双向可变增益放大器为一组，两组双向可变增益放大器分别为I路组和Q路组。本发明实现了双向有源移相的功能，在增益上有较大的提升；在架构上的优化使得整体的设计流程大幅度的优化，匹配网络的复用也保证了模块的稳定性，相较于无源移相器，大幅提高了增益，减小了放大器的增益压力，使本移相器在双向系统中的应用更加宽泛。
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公开(公告)号：CN117394858A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311676115.8
申请日：2023-12-08
Applicant: 成都通量科技有限公司
IPC: H03M1/34 , H03M1/08 , H03M1/12 , H03K19/0185 , H03K17/22
Abstract: 本发明公开了一种降低回踢噪声的比较器、模数转换器及装置，属于模拟集成电路技术领域。所述比较器，包括输入对管模块、锁存器模块、隔绝开关模块、中和电容模块，所述输入对管模块连接隔绝开关模块和中和电容模块，所述隔绝开关模块连接锁存器模块，隔绝开关模块用于减小再生节点在复位过程耦合到输入的回踢噪声，中和电容模块用于抵消输入对管模块的栅漏寄生电容的影响，减小了由时钟信号翻转导致的回踢噪声，还包括延迟增强时钟模块，用于增大非交叠时钟的延时，从而减小所述降低回踢噪声的比较器的回踢噪声。本发明比较器动态功耗仅为5.2uW，且回踢噪声相比于现有结构降低18倍，其总体噪声性能优化4倍。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116719382B
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202310996002.X
申请日：2023-08-09
Applicant: 成都通量科技有限公司
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明公开了一种高PSR的无片外电容LDO电路，涉及集成电路技术领域，包括LDO基本电路、与LDO基本电路连接的电源纹波前馈通路和与LDO基本电路连接的负电容等效电路；所述LDO基本电路包括误差放大器和输出MOS管，所述电源纹波前馈通路用于将中高频电源纹波复制到输出MOS管的栅端，所述负电容等效电路用于产生的负电容抵消所述输出MOS管栅端的部分寄生电容。在本发明中，基于负电容补偿结构的LDO进行改进，弥补了传统的负电容补偿结构的LDO在不同负载电流下的中高频电源纹波抑制性能恶化的缺陷，最终在宽频率范围下和不同负载电流下得到了高电源纹波抑制的电压输出。除此之外，本发明中的负电容等效电路无需额外的运放，结构简单，加快了电路设计的进度。
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公开(公告)号：CN116719382A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310996002.X
申请日：2023-08-09
Applicant: 成都通量科技有限公司
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明公开了一种高PSR的无片外电容LDO电路，涉及集成电路技术领域，包括LDO基本电路、与LDO基本电路连接的电源纹波前馈通路和与LDO基本电路连接的负电容等效电路；所述LDO基本电路包括误差放大器和输出MOS管，所述电源纹波前馈通路用于将中高频电源纹波复制到输出MOS管的栅端，所述负电容等效电路用于产生的负电容抵消所述输出MOS管栅端的部分寄生电容。在本发明中，基于负电容补偿结构的LDO进行改进，弥补了传统的负电容补偿结构的LDO在不同负载电流下的中高频电源纹波抑制性能恶化的缺陷，最终在宽频率范围下和不同负载电流下得到了高电源纹波抑制的电压输出。除此之外，本发明中的负电容等效电路无需额外的运放，结构简单，加快了电路设计的进度。
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公开(公告)号：CN116647199A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310905821.9
申请日：2023-07-24
Applicant: 成都通量科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种调谐变压器及包含该调谐变压器的Doherty功率放大器，涉及集成电路设计技术领域，所述调谐变压器用于设置在DPA的功率分配网络和主放大电路之间、DPA的功率分配网络和辅助放大电路之间，以及用作主放大电路的级间匹配、用作辅助放大电路的级间匹配，所述调谐变压器具有第一端口、第二端口和第三端口，第一端口内具有第一电感线圈，第二端口内具有第二电感线圈，第三端口内具有第三电感线圈和并联在第三电感线圈两端的调谐电容，调谐电容的容值随DPA输入信号功率的增大而减小。基于本发明实现的调谐变压器可实现DPA的线性增强，极大改善DPA的AM‑PM失真，同时保证了DPA的效率和增益。
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公开(公告)号：CN116317976A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310205422.1
申请日：2023-03-06
Applicant: 成都通量科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种具有灵活温度系数补偿功能的功率放大器偏置电路，属于功率放大器偏置电路技术领域，包括偏置调节电压VT，偏置电压Vbias，供电电压VCC，第一场效应晶体管M1，第二场效应晶体管M2，第三场效应晶体管M3，第四场效应晶体管M4，第五场效应晶体管M5，线性化电容C1，第一隔直电容C2，第二隔直电容C3，线性化电阻R2，温补和限流电阻R1，以及扼流电感L1。通过上述方式，本发明使得功率放大器的性能随着环境温度的变化得到自适应的补偿，电流随着温度的增大而增大且斜率可调，实现了任意温度系数的补偿效果且温补系数的斜率可控，极大的提高了灵活性，可满足更多的使用场景。
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公开(公告)号：CN116015332A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202310025557.X
申请日：2023-01-09
Applicant: 成都通量科技有限公司
IPC: H04B1/16
Abstract: 本发明公开了一种毫米波双频带镜像抑制接收机，包括低噪声放大器、I路混频器、Q路混频器、中频混频器、第一双刀双掷开关、第二双刀双掷开关、三倍频器、第一巴伦、第二巴伦、第三巴伦、第四巴伦、第五巴伦、第六巴伦、正交信号发生器、单端转差分放大器、差分转单端放大器、移相器、本振、功率合成器、第一衰减器和第二衰减器。本发明能支持较大频率跨度的双频带工作，且所需本振信号带宽较小，降低了频率源相位噪声的压力，功耗较低，低噪声放大器的输入为单端口，避免了双工器的使用，类哈特莱结构的采用使得该种接收机兼具带内镜像信号抑制的能力。
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