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公开(公告)号：CN113843675A
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202111177585.0
申请日：2021-10-09
Applicant: 南京同溧晶体材料研究院有限公司
Inventor： 李东振
Abstract: 本发明涉及晶体加工技术领域，公开了一种晶体加工的高效打磨装置，包括底座，所述底座的顶部固定连接有放置盘，所述放置盘的圆心处开设有通孔，所述通孔的内腔插接有连接杆，所述连接杆的外侧固定安装有第一齿轮。本发明通过将晶体放入在放置孔内，然后拧动螺母将上磨盘与晶体表面接触，从而配合第一弹簧能够使上磨盘与晶体表面始终接触，然后启动驱动电机带动第一齿轮和上磨盘转动，从而上磨盘对晶体上表面进行打磨，同时带动齿轮盘在下磨盘上旋转，从而下磨盘对晶体的下表面进行打磨，进一步的提高晶体打磨的效率和质量，并且不同规格的放置孔能够对不同规格的晶体进行打磨，从而有效的提升晶体打磨装置的实用性。
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公开(公告)号：CN112513349A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201980033114.7
申请日：2019-11-04
Applicant: 南京同溧晶体材料研究院有限公司
Abstract: 本发明提供的一种同步制备晶体纤维及包层的热场装置热场装置，包括下坩埚、上坩埚、坩埚支撑柱、包层柱模具模具；所述上坩埚位于下坩埚顶部且下坩埚和上坩埚之间通过坩埚支撑柱连接；所述包层柱模具模具一端位于下坩埚内，且竖直穿过上坩埚，另一端位于上坩埚上方；所述包层柱模具(模具)内设有晶体光纤供料成形管和包层供料成形管，所述包层供料成形管为环形管道且环设于晶体光纤供料成形管外。本发明还提供了一种同步制备晶体纤维及包层的方法。该设备结构简单，成本低廉，利用该设备可在生长晶体纤维时同时制备晶体纤维表面的包层，大大降低了生产成本、增加器件制备效率；制备出的包层为单晶包层，可以与晶体纤维同基质，也可以不同基质，单晶包层拥有更加优异的物化性能。
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公开(公告)号：CN112513343A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201980033109.6
申请日：2019-11-04
Applicant: 南京同溧晶体材料研究院有限公司
Abstract: 本发明提供的一种稀土离子倍半氧化物晶体的冷坩埚生长方法，包括以下步骤：原料堆积：在冷水坩埚底部放置籽晶；在冷水坩埚中堆积圆球状原料，使冷水坩埚中形成原料堆；将引燃物置于原料堆中心；加热原料：利用感应线圈加热引燃物，从而加热引燃物周围原料，形成熔体；熔体在感应线圈的作用下持续发热，熔体体积进一步扩大直至原料全部形成熔体；晶体生长：向熔体中投入圆球状原料，保持高频场的频率恒定，控制高频场的功率，使晶体向上生长。该方法通过不断冷却坩埚使接触坩埚的原料形成壳层，巧妙的将熔体与坩埚隔离开来，避免了高温熔体对坩埚的腐蚀，可用于熔点大于2400℃的稀土离子倍半氧化物的生长。
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公开(公告)号：CN112359419A
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN202011147283.4
申请日：2020-10-23
Applicant: 南京同溧晶体材料研究院有限公司
Abstract: 本发明提供了一种提拉法生长稀土离子掺杂硅酸盐共晶材料，化学式为Re4xBi4(1‑x)Si3O12/Bi12SiO20，其中，稀土离子Re为Nd、Yb、Tm、Ho、Er、Pr、Dy、Sm中任一种，X的取值范围为0.003‑0.05，同时，还提供了该共晶材料的制备方法，采用一定质量纯度为5N的Bi2O3、SiO2和Re2O3作为原料，经过充分研磨之后压制成块，再高温烧结，通过提拉法生长得到共晶。与现有技术相比，本发明的共晶材料能够在材料内部存在两种尺寸的晶粒，稀土离子的发光半高宽比在单晶材料中更宽，可用于可调谐激光输出。
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公开(公告)号：CN108455621B
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201810359792.X
申请日：2018-04-20
Applicant: 南京同溧晶体材料研究院有限公司
IPC: C01B33/20
Abstract: 本发明涉及陶瓷制作技术领域，具体的说是一种用于陶瓷生产的硅酸锆生产加工工艺，该生产加工方法包括以下步骤：S1，将开采出来的锆英石经水选、电选、磁选去除杂质；S2，将锆英石放入粉末成型机中进行碾磨、筛分和收集，锆英石变成粉末状的硅酸锆；S3，将收集得到的硅酸锆放入干燥设备中进行干燥处理；S4，将干燥后的硅酸锆封装保存。本工艺采用的粉末成型机采用半圆形的滤板与碾磨筒相互配合来实现对于原料的碾磨，使得达到要求的原料能够迅速通过滤板进入到集料盒内进行收集，使得碾磨、筛分、收集过程一体化，无需多个流程加工，可大大提高硅酸锆的生产效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110528077A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201910622904.0
申请日：2019-07-11
Applicant: 南京同溧晶体材料研究院有限公司
Abstract: 本发明涉及一种掺钕BGSO混晶材料及其制备方法，该晶体的化学式为(NdxBi1-x)4(Ge1-ySiy)3O12，其中x的取值范围为0.001-0.01，y的取值范围是0.05-0.5，晶胞参数为使用纯度为5N的Nd2O3，Bi2O3，GeO2和SiO2粉末作为原料，经过充分研磨之后压制成棒，在700-850摄氏度下高温烧结22-30小时。采用微下拉生长掺钕BGSO混晶。与现有技术相比，本发明晶体材料能实现高效近红外激光输出，可应用于非线性光学研究，激光医疗和通讯等领域。
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公开(公告)号：CN108127527B
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201711422323.X
申请日：2017-12-25
Applicant: 芜湖慧宇商贸有限公司
Inventor： 单筱慧
Abstract: 本发明公开了一种用于宝石加工的自动化设备，包括主体和电机，所述第一滑轨的右端设有第一转轴，所述第一转轴的右端设有砂轮，所述主体的右端内内部设有拉杆，所述拉杆的左端上下均设有第二滑轨，所述第二滑轨的外壁设有第二滑块，所述弹簧的上端设有支杆，所述连板的内壁设有转杆，所述转杆的下端设有夹杆。该用于宝石加工的自动化设备，通过主体的作用，通过电机与第二转轴的配合，通过第二转轴与转盘的配合，通过转盘与转轮的配合，通过转轮与第一滑块的配合，通过第二滑块与第二滑轨的配合，通过连板与转杆以及夹杆的配合，可以方便打磨宝石，宝石打磨的效果更好，可以调节砂轮转动速度，方便调节合适的打磨速度。
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公开(公告)号：CN110284192A
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201910520851.1
申请日：2019-06-17
Applicant: 南京同溧晶体材料研究院有限公司
Abstract: 本发明提供了一种掺铒钪酸钆3μm中红外波段激光晶体及其制备方法，该晶体的化学式为ErxGd(1-x)ScO3，其中x的取值为0.5，属于立方晶系其晶胞参数为密度为6.48g/cm3，在高纯氩气气氛下，采用提拉法首次生长尺寸 掺铒钪酸钆激光晶体。其晶体材料尺寸大，质量高，性能优良。基于铒离子掺杂的3μm激光，可广泛应用于医疗、大气污染监测、定向红外对抗以及理想的远红外激光泵浦源。
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公开(公告)号：CN110257919A
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201910424254.9
申请日：2019-05-21
Applicant: 南京同溧晶体材料研究院有限公司
Abstract: 本发明提供了一种直径均匀单晶光纤加工方法，通过提拉法或其它的晶体生长方法获得长度30-300mm的晶体，依次通过定向、切割、滚圆的加工方法处理后获得晶棒，将晶棒浸泡于摩尔比为(1.5-3.5)：1的浓硫酸和浓磷酸内，其中浓硫酸溶液的浓度为90％～99.8％，浓磷酸溶液的浓度为60％～90％的，再一起放入马弗炉中加热到沸腾，设定合适时间和温度的工艺条件下，获得了直径均匀的单晶光纤，直径尺寸较为均匀且精确，该方法具有操作简单，易于加工的特点，适合产业化生产。
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公开(公告)号：CN107099291B
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201710196254.9
申请日：2017-03-29
Applicant: 江苏师范大学
Inventor： 乔学斌
CPC classification number: Y02B20/181
Abstract: 本发明公开了一种可被近紫外光激发的红色荧光材料、制备方法及应用，其化学式为：Ca5‑5xEu5xNb4Ti3O21，其中x是稀土铕离子Eu3+取代Ca离子的摩尔比，且0.0001≤x≤0.20。本发明在激发光为350‑420纳米的近紫外区域内，能够发射峰值位于615纳米左右的红光，其发光的色度坐标值为x＝0.625‑0.655，y＝0.345‑0.375的红色，色度纯正；激发波长与InAlGaN、InGaAs等近紫外半导体芯片非常匹配，可用作多基色节能荧光光源LED和WLED中的深红色组分，以调制光源色温和提高显色指数。基质稳定耐腐蚀，发光效率高，无毒无公害；制备方法简单易于操作，对生产条件和设备要求不高，成本低、无任何污染，适于工业化生产。
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