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公开(公告)号：CN102221788B
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201110094314.9
申请日：2011-04-12
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： D·M·H·菲利浦斯 , D·J·M·迪莱克斯 , C·J·G·范德顿根 , M·A·C·斯凯皮斯 , P·P·J·伯克文斯 , M·J·范德赞登 , P·马尔德
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70341 , Y10T137/86292
Abstract: 本发明公开了一种流体处理结构、一种光刻设备和一种器件制造方法。所述流体处理结构配置成供给浸没液体至限定在投影系统和面对流体处理结构的正对表面之间的空间。流体处理结构的下表面具有：供给开口，配置成朝向正对表面供给流体；多个抽取开口，配置成移除流体处理结构和正对表面之间的流体；和在供给开口和抽取开口之间的突起。
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公开(公告)号：CN101408733B
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN200810168934.0
申请日：2008-09-27
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： B·斯蒂夫克尔克 , R·F·德格拉夫 , J·C·H·马尔肯斯 , M·贝克尔斯 , P·P·J·伯克文斯 , D·L·安斯陶特兹
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70916 , G03F7/70341
Abstract: 本发明涉及浸没光刻技术的方法和浸没光刻设备，并且公开了一种浸没光刻设备的流体限制系统的操作方法。流体限制系统的性能通过几种不同的方法测量。基于性能的测量结果，产生一个例如指示需要实施修复措施的信号。
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公开(公告)号：CN102063023B
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201110040146.5
申请日：2008-09-09
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： P·P·J·伯克文斯 , R·F·德格拉夫 , P·M·M·里伯艾格特斯 , R·范德汉姆 , W·F·J·西蒙斯 , D·J·M·迪艾克斯 , F·J·J·杰森 , P·W·斯考蒂斯 , G-J·G·J·T·布兰德斯 , K·斯蒂芬斯 , H·H·A·兰姆彭斯 , M·A·K·范力洛普 , C·德麦特森艾尔 , M·A·C·马兰达 , P·J·W·斯普鲁伊藤伯格 , J·J·A-M·沃斯特拉艾斯
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70341
Abstract: 本发明公开了一种浸没式光刻设备以及一种器件制造方法。所述浸没式光刻设备包括流体限制系统，所述流体限制系统配置用于将流体限制到在投影系统和衬底之间的空隙。流体限制系统包括用于供给流体的流体入口，所述流体入口连接到入口端口和出口端口。所述浸没式光刻设备和包括流体供给系统，所述流体供给系统配置用于通过改变被提供给入口端口的流体的流量和从出口端口去除的流体的流量来控制经过流体入口的流体的流动。
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公开(公告)号：CN102063023A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201110040146.5
申请日：2008-09-09
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： P·P·J·伯克文斯 , R·F·德格拉夫 , P·M·M·里伯艾格特斯 , R·范德汉姆 , W·F·J·西蒙斯 , D·J·M·迪艾克斯 , F·J·J·杰森 , P·W·斯考蒂斯 , G-J·G·J·T·布兰德斯 , K·斯蒂芬斯 , H·H·A·兰姆彭斯 , M·A·K·范力洛普 , C·德麦特森艾尔 , M·A·C·马兰达 , P·J·W·斯普鲁伊藤伯格 , J·J·A-M·沃斯特拉艾斯
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70341
Abstract: 本发明公开了一种浸没式光刻设备以及一种器件制造方法。所述浸没式光刻设备包括流体限制系统，所述流体限制系统配置用于将流体限制到在投影系统和衬底之间的空隙。流体限制系统包括用于供给流体的流体入口，所述流体入口连接到入口端口和出口端口。所述浸没式光刻设备和包括流体供给系统，所述流体供给系统配置用于通过改变被提供给入口端口的流体的流量和从出口端口去除的流体的流量来控制经过流体入口的流体的流动。
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公开(公告)号：CN101446776B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200810215061.4
申请日：2008-09-09
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： P·P·J·伯克文斯 , R·F·德格拉夫 , P·M·M·里伯艾格特斯 , R·范德汉姆 , W·F·J·西蒙斯 , D·J·M·迪艾克斯 , F·J·J·杰森 , P·W·斯考蒂斯 , G-J·G·J·T·布兰德斯 , K·斯蒂芬斯 , H·H·A·兰姆彭斯 , M·A·K·范力洛普 , C·德麦特森艾尔 , M·A·C·马兰达 , P·J·W·斯普鲁伊藤伯格 , J·J·A-M·沃斯特拉艾斯
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70341
Abstract: 本发明公开了一种浸没式光刻设备以及一种器件制造方法。所述浸没式光刻设备包括流体限制系统，所述流体限制系统配置用于将流体限制到在投影系统和衬底之间的空隙。流体限制系统包括用于供给流体的流体入口，所述流体入口连接到入口端口和出口端口。所述浸没式光刻设备和包括流体供给系统，所述流体供给系统配置用于通过改变被提供给入口端口的流体的流量和从出口端口去除的流体的流量来控制经过流体入口的流体的流动。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101446776A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200810215061.4
申请日：2008-09-09
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： P·P·J·伯克文斯 , R·F·德格拉夫 , P·M·M·里伯艾格特斯 , R·范德汉姆 , W·F·J·西蒙斯 , D·J·M·迪艾克斯 , F·J·J·杰森 , P·W·斯考蒂斯 , G-J·G·J·T·布兰德斯 , K·斯蒂芬斯 , H·H·A·兰姆彭斯 , M·A·K·范力洛普 , C·德麦特森艾尔 , M·A·C·马兰达 , P·J·W·斯普鲁伊藤伯格 , J·J·A-M·沃斯特拉艾斯
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70341
Abstract: 本发明公开了一种浸没式光刻设备以及一种器件制造方法。所述浸没式光刻设备包括流体限制系统，所述流体限制系统配置用于将流体限制到在投影系统和衬底之间的空隙。流体限制系统包括用于供给流体的流体入口，所述流体入口连接到入口端口和出口端口。所述浸没式光刻设备和包括流体供给系统，所述流体供给系统配置用于通过改变被提供给入口端口的流体的流量和从出口端口去除的流体的流量来控制经过流体入口的流体的流动。
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公开(公告)号：CN101408733A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200810168934.0
申请日：2008-09-27
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： B·斯蒂夫克尔克 , R·F·德格拉夫 , J·C·H·马尔肯斯 , M·贝克尔斯 , P·P·J·伯克文斯 , D·L·安斯陶特兹
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70916 , G03F7/70341
Abstract: 本发明涉及浸没光刻技术的方法和浸没光刻设备，并且公开了一种浸没光刻设备的流体限制系统的操作方法。流体限制系统的性能通过几种不同的方法测量。基于性能的测量结果，产生一个例如指示需要实施修复措施的信号。
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公开(公告)号：CN102156390B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201110086003.8
申请日：2008-09-27
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： B·斯蒂夫克尔克 , R·F·德格拉夫 , J·C·H·马尔肯斯 , M·贝克尔斯 , P·P·J·伯克文斯 , D·L·安斯陶特兹
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70916 , G03F7/70341
Abstract: 本发明涉及浸没光刻技术的方法和浸没光刻设备，并且公开了一种浸没光刻设备的流体限制系统的操作方法。流体限制系统的性能通过几种不同的方法测量。基于性能的测量结果，产生一个例如指示需要实施修复措施的信号。
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公开(公告)号：CN102221788A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN201110094314.9
申请日：2011-04-12
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： D·M·H·菲利浦斯 , D·J·M·迪莱克斯 , C·J·G·范德顿根 , M·A·C·斯凯皮斯 , P·P·J·伯克文斯 , M·J·范德赞登 , P·马尔德
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70341 , Y10T137/86292
Abstract: 本发明公开了一种流体处理结构、一种光刻设备和一种器件制造方法。所述流体处理结构配置成供给浸没液体至限定在投影系统和面对流体处理结构的正对表面之间的空间。流体处理结构的下表面具有：供给开口，配置成朝向正对表面供给流体；多个抽取开口，配置成移除流体处理结构和正对表面之间的流体；和在供给开口和抽取开口之间的突起。
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公开(公告)号：CN102156390A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201110086003.8
申请日：2008-09-27
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： B·斯蒂夫克尔克 , R·F·德格拉夫 , J·C·H·马尔肯斯 , M·贝克尔斯 , P·P·J·伯克文斯 , D·L·安斯陶特兹
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70916 , G03F7/70341
Abstract: 本发明涉及浸没光刻技术的方法和浸没光刻设备，并且公开了一种浸没光刻设备的流体限制系统的操作方法。流体限制系统的性能通过几种不同的方法测量。基于性能的测量结果，产生一个例如指示需要实施修复措施的信号。
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