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公开(公告)号：CN116157743A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202180060464.X
申请日：2021-07-06
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 公开了一种用于光刻过程的焦距测量的方法。所述方法包括：接收衬底，已经通过光刻设备利用照射光瞳在所述衬底上印制量测图案；利用量测工具照射所述量测图案以基于由所述量测图案散射的辐射来测量信号；和基于所测量的信号来确定或监测所述光刻过程的焦距。所述量测图案的至少一部分的位置依赖于焦距。所述量测图案的至少一部分已经由所述光刻设备利用角向不对称的照射光瞳来印制。
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公开(公告)号：CN114788101A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202080084189.0
申请日：2020-10-20
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: H01S3/036
Abstract: 功率放大器包括气体激光器腔室、气体激光器功率源、催化剂腔室、反馈装置和处理器。气体激光器腔室被配置为容纳流动气体混合物。气体激光器功率源被耦合到气体激光器腔室，并且被配置为向流动气体混合物提供能量以输出激光束。催化剂腔室被耦合到气体激光器腔室并且包括催化剂，该催化剂被配置为对流动气体混合物中的离解分子进行再氧化。反馈装置被耦合到气体激光器腔室和/或激光束，并且被配置为测量功率放大器的特性。处理器被耦合到催化剂腔室和反馈装置。该处理器被配置为基于经测量的特性来调整流动气体混合物于催化剂腔室中的催化剂的暴露量。
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公开(公告)号：CN111837076A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201980017251.1
申请日：2019-02-28
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： 马悦 , A·T·W·肯彭 , K·M·休姆勒 , J·H·J·穆尔斯 , J·H·罗梅斯 , H·J·范德威尔 , A·D·拉弗格 , F·布里祖拉 , R·C·怀格斯 , U·P·戈梅斯 , E·内达诺维斯卡 , C·科科玛兹 , A·D·金 , R·M·杜阿尔特·罗德里格斯·努涅斯 , H·A·L·范迪杰克 , W·P·范德伦特 , P·G·琼克斯 , 朱秋石 , P·雅格霍比 , J·S·C·韦斯特拉肯 , M·H·A·里恩德斯 , A·I·厄肖夫 , I·V·福门科夫 , 刘飞 , J·H·W·雅各布斯 , A·S·库兹内特索夫
Abstract: 通过气体到包含光学元件的真空室(26)中的受控引入，减少用于生成EUV辐射的系统(SO)中的一个或多个反射光学元件的反射率的劣化。该气体可以被添加到诸如氢气的另一气体流中，或者与氢自由基的引入交替。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113396644B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202080012576.3
申请日：2020-01-24
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： 达米安·乌列·波阿斯·奥瑟姆斯 , 黄壮雄 , 科尔马·欧戈尔曼 , 蒂姆·科内利斯·古森斯 , 彼得·哈弗曼斯 , R·奥斯特霍特 , 刘飞
Abstract: 辐射系统包括辐射源(SO)和等离子体产生器(16)。所述辐射源包括：壳体(9)，所述壳体设置有出口孔(8)；和辐射产生器，所述辐射产生器能够操作以在所述壳体中产生输出辐射并且引导所述输出辐射的至少一部分穿过所述出射孔。所述等离子体产生器能够操作以产生等离子体(18)，所述等离子体至少部分地延伸横穿所述输出辐射的被引导通过所述出射孔的所述至少一部分。
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公开(公告)号：CN111837076B
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN201980017251.1
申请日：2019-02-28
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： 马悦 , A·T·W·肯彭 , K·M·休姆勒 , J·H·J·穆尔斯 , J·H·罗梅斯 , H·J·范德威尔 , A·D·拉弗格 , F·布里祖拉 , R·C·怀格斯 , U·P·戈梅斯 , E·内达诺维斯卡 , C·科科玛兹 , A·D·金 , R·M·杜阿尔特·罗德里格斯·努涅斯 , H·A·L·范迪杰克 , W·P·范德伦特 , P·G·琼克斯 , 朱秋石 , P·雅格霍比 , J·S·C·韦斯特拉肯 , M·H·A·里恩德斯 , A·I·厄肖夫 , I·V·福门科夫 , 刘飞 , J·H·W·雅各布斯 , A·S·库兹内特索夫
Abstract: 通过气体到包含光学元件的真空室(26)中的受控引入，减少用于生成EUV辐射的系统(SO)中的一个或多个反射光学元件的反射率的劣化。该气体可以被添加到诸如氢气的另一气体流中，或者与氢自由基的引入交替。
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公开(公告)号：CN114556225A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202080072248.2
申请日：2020-10-09
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种光刻设备和器件制造方法，其中在剂量控制器中考虑来自EUV辐射源的带外辐射量，例如到达衬底的DUV辐射，以提供基于实际有效剂量的剂量控制，从而提供对带外辐射的影响的更好控制，例如带外辐射对抗蚀剂和成像的影响，特别是对由于取决于抗蚀剂类型的抗蚀剂的波长相关灵敏度的变化而对成像性能的影响。
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公开(公告)号：CN113396644A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202080012576.3
申请日：2020-01-24
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： 达米安·乌列·波阿斯·奥瑟姆斯 , 黄壮雄 , 科尔马·欧戈尔曼 , 蒂姆·科内利斯·古森斯 , 彼得·哈弗曼斯 , R·奥斯特霍特 , 刘飞
Abstract: 辐射系统包括辐射源(SO)和等离子体产生器(16)。所述辐射源包括：壳体(9)，所述壳体设置有出口孔(8)；和辐射产生器，所述辐射产生器能够操作以在所述壳体中产生输出辐射并且引导所述输出辐射的至少一部分穿过所述出射孔。所述等离子体产生器能够操作以产生等离子体(18)，所述等离子体至少部分地延伸横穿所述输出辐射的被引导通过所述出射孔的所述至少一部分。
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公开(公告)号：CN119805878A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202510146411.X
申请日：2019-02-28
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： 马悦 , A·T·W·肯彭 , K·M·休姆勒 , J·H·J·穆尔斯 , J·H·罗梅斯 , H·J·范德威尔 , A·D·拉弗格 , F·布里祖拉 , R·C·怀格斯 , U·P·戈梅斯 , E·内达诺维斯卡 , C·科科玛兹 , A·D·金 , R·M·杜阿尔特·罗德里格斯·努涅斯 , H·A·L·范迪杰克 , W·P·范德伦特 , P·G·琼克斯 , 朱秋石 , P·雅格霍比 , J·S·C·韦斯特拉肯 , M·H·A·里恩德斯 , A·I·厄肖夫 , I·V·福门科夫 , 刘飞 , J·H·W·雅各布斯 , A·S·库兹内特索夫
Abstract: 通过气体到包含光学元件的真空室(26)中的受控引入，减少用于生成EUV辐射的系统(SO)中的一个或多个反射光学元件的反射率的劣化。该气体可以被添加到诸如氢气的另一气体流中，或者与氢自由基的引入交替。
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