公开(公告)号：CN114203693A

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202110948180.6

申请日：2021-08-18

Applicant: 英特尔公司

Inventor： L·P·古勒 ,  W·徐 ,  B·古哈 ,  M·维斯 ,  A·达 ,  W·T·布兰顿 ,  J·H·伊尔比四世 ,  J·F·邦迪 ,  M·K·哈珀 ,  C·H·华莱士 ,  T·甘尼 ,  B·A·萨米尔 ,  S·迪克特

IPC: H01L27/08 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 本公开涉及具有相邻岛结构的环栅集成电路结构的制造。描述了具有相邻岛结构的环栅集成电路结构。例如，一种集成电路结构包括：半导体衬底上的半导体岛。水平纳米线的第一垂直布置在从半导体衬底突出的第一鳍片上方。水平纳米线的第一垂直布置的沟道区与鳍片电隔离。水平纳米线的第二垂直布置在从半导体衬底突出的第二鳍片上方。水平纳米线的第二垂直布置的沟道区与第二鳍片电隔离。半导体岛在水平纳米线的第一垂直布置和水平纳米线的第二垂直布置之间。