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公开(公告)号：CN101313226A
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200580052138.5
申请日：2005-12-30
Applicant: 英特尔公司
CPC classification number: G06F11/008 , G01R31/2846
Abstract: 在一个实施例中，本发明包括一种方法，所述方法用于获得诸如处理器的半导体器件的动态工作参数信息，基于动态工作参数信息确定所述器件的整体或者其一个或多个部分的动态使用情况，并且基于动态使用情况动态估算所述器件的剩余寿命。可以根据估算剩余寿命按照所期望的方式控制所述器件。还描述了其他实施例，并要求对其进行保护。
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公开(公告)号：CN101390067A
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200680053450.0
申请日：2006-02-28
Applicant: 英特尔公司
CPC classification number: G06F1/206 , G06F9/5061 , G06F9/5094 , G06F11/202 , Y02D10/22
Abstract: 在一个实施例中，本发明包括一种方法，用于识别众核处理器中的可用核心，将第一核心子集分配为启用状态，将第二核心子集分配为备用状态，并在存储装置中存储关于该分配的信息。在某些实施例中，将核心分配为启用状态可以是基于温度感知算法。还描述并主张了其它实施例。
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公开(公告)号：CN101313226B
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN200580052138.5
申请日：2005-12-30
Applicant: 英特尔公司
CPC classification number: G06F11/008 , G01R31/2846
Abstract: 在一个实施例中，本发明包括一种方法，所述方法用于获得诸如处理器的半导体器件的动态工作参数信息，基于动态工作参数信息确定所述器件的整体或者其一个或多个部分的动态使用情况，并且基于动态使用情况动态估算所述器件的剩余寿命。可以根据估算剩余寿命按照所期望的方式控制所述器件。还描述了其他实施例，并要求对其进行保护。
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公开(公告)号：CN101506899B
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN200680055721.6
申请日：2006-09-28
Applicant: 英特尔公司
IPC: G11C11/412
CPC classification number: G11C11/412 , G11C11/56
Abstract: 本发明涉及一种NBTI-恢复存储单元，其由包含多个与非门的环构成。将所述与非门布置为，使所述与非门之一在其输出端具有“0”，而使其余与非门在其输出端具有“1”。所述存储单元内的PMOS晶体管所经受的劣化要比在基于倒相器的存储单元中低。能够减小保护频带，以便防止晶体管劣化，同时可以提高存储单元的工作频率。
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公开(公告)号：CN101390067B
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN200680053450.0
申请日：2006-02-28
Applicant: 英特尔公司
CPC classification number: G06F1/206 , G06F9/5061 , G06F9/5094 , G06F11/202 , Y02D10/22
Abstract: 在一个实施例中，本发明包括一种方法，用于识别众核处理器中的可用核心，将第一核心子集分配为启用状态，将第二核心子集分配为备用状态，并在存储装置中存储关于该分配的信息。在某些实施例中，将核心分配为启用状态可以是基于温度感知算法。还描述并主张了其它实施例。
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公开(公告)号：CN101506899A
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200680055721.6
申请日：2006-09-28
Applicant: 英特尔公司
IPC: G11C11/412
CPC classification number: G11C11/412 , G11C11/56
Abstract: 本发明涉及一种NBTI－恢复存储单元，其由包含多个与非门的环构成。将所述与非门布置为，使所述与非门之一在其输出端具有“0”，而使其余与非门在其输出端具有“1”。所述存储单元内的PMOS晶体管所经受的劣化要比在基于倒相器的存储单元中低。能够减小保护频带，以便防止晶体管劣化，同时可以提高存储单元的工作频率。
