公开(公告)号：CN117425392A

公开(公告)日：2024-01-19

申请号：CN202210877044.7

申请日：2022-07-25

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 郭致玮 ,  邱崇益 ,  黄舜渔 ,  曾译苇

IPC: H10N50/80 ,  H10N50/10 ,  H10N50/01 ,  H10B61/00

Abstract: 本发明公开一种磁阻式随机存取存储器结构及其制作方法，其中该磁阻式随机存取存储器结构包含一磁性隧穿结、一第一自旋轨道转矩元件、一导电层和一第二自旋轨道转矩元件由下至上依序堆叠，一保护层设置于第二自旋轨道转矩元件上，保护层覆盖并接触第二自旋轨道转矩元件的上表面，其中保护层为绝缘材料以及一导电插塞穿透保护层并且接触第二自旋轨道转矩元件。

公开(公告)号：CN117425388A

公开(公告)日：2024-01-19

申请号：CN202210867788.0

申请日：2022-07-22

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 黄舜渔 ,  曾译苇 ,  郭致玮 ,  陈奕翔 ,  陈炫旭 ,  陈俊隆

IPC: H10N50/01 ,  H10N50/10 ,  H10N50/20

Abstract: 本发明公开一种磁隧穿结器件的制造方法，包括以下步骤。形成第一介层窗于第一介电层中。形成第一电极层于所述第一介电层与所述第一介层窗上。形成磁隧穿结堆叠层于所述第一电极层上。形成图案化的第二电极层于所述磁隧穿结堆叠层上。以所述图案化的第二电极层为掩模，进行第一离子束刻蚀工艺，以刻蚀图案化的第二电极层并图案化所述磁隧穿结堆叠层以及所述第一电极层以形成第二电极、磁隧穿结堆叠结构与第一电极。形成第一保护层，覆盖所述第二电极的顶面与侧壁以及所述磁隧穿结堆叠结构的侧壁。以所述第一保护层为掩模，进行第二离子束刻蚀工艺，以移除至少部分的所述磁隧穿结堆叠结构与至少部分的所述第一电极。

公开(公告)号：CN115132917A

公开(公告)日：2022-09-30

申请号：CN202110311963.3

申请日：2021-03-24

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 王慧琳 ,  许清桦 ,  蔡锡翰 ,  黄舜渔 ,  翁宸毅 ,  范儒钧 ,  张哲维 ,  林奕佑 ,  许博凯 ,  张境尹 ,  洪雅娟

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/14 ,  G11C11/16

Abstract: 本发明公开一种磁阻式随机存取存储器结构，包括一基底、多个磁阻式随机存取存储器单元位于该基底上，其中该些磁阻式随机存取存储器单元位于一存储器区中，该存储器区与逻辑区邻接、以及一超低介电系数层覆盖在该些磁阻式随机存取存储器单元上，其中该超低介电系数层的表面部位有掺杂氟，且位于该存储器区与该逻辑区交界处的该超低介电系数层的表面具有凹痕。