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公开(公告)号：CN116432584A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310224668.3
申请日：2023-03-09
Applicant: 清华大学
IPC: G06F30/373
Abstract: 本申请涉及建模技术领域，特别涉及一种计算场效应晶体管沟道表面静电势自洽解的方法及装置，其中，方法包括：基于预设栅电容方程的零温极限，得到静电势零温极限精确解析解，代入含温度展宽系数软化函数得到一般温度静电势逼近解，并取优化系数向量映射的线性近似作为生成任意温度初始解的种子，计算漏源电流。本申请实施例可以基于零温极限下栅电容方程的求解，获取一般温度静电势逼近解，通过软化系数的向量优化，生成任意温度下充分接近准确解的迭代初始值生成公式，以实现场效应晶体管表面静电势的高效数值计算，进而得到漏源电流，由此提升了表面静电势迭代收敛过程的速度，优化了数值计算的效率与精确度，更加准确实用。
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公开(公告)号：CN117474059A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311262144.X
申请日：2023-09-27
Applicant: 清华大学
Abstract: 本申请涉及一种计算电路。包括阵列排布的多个不同类型的计算单元，各计算单元包括乘法计算电路、预充电电路以及计算结果输出电路，且，不同类型的计算单元的计算结果输出电路不同；计算结果输出电路，用于在接收信号输入电压后，通过N个输出通路分别输出计算输出节点的电压，以通过对计算输出节点的电压的N次耦合得到乘法计算电路计算得到的第一计算结果，第一计算结果为根据信号输入电压和第一神经网络权重值计算得到的计算结果，第一神经网络权重值是根据初始神经网络权重值和耦合次数N得到的，不同类型的计算单元中计算结果输出电路对应的耦合次数N不同。本申请提供的计算电路在降低功耗，提高集成度的同时实现多值神经网络的计算。
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公开(公告)号：CN117494772A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311262158.1
申请日：2023-09-27
Applicant: 清华大学
IPC: G06N3/063
Abstract: 本申请涉及一种计算电路，包括阵列排布的多个不同类型的计算单元，各计算单元包括乘法计算电路、预充电电路以及计算结果输出电路；计算结果输出电路包括N个输出通路，并用于根据第一目标电压信号关断N个输出通路中的M个输出通路，以在接收信号输入电压后，在计算输出节点电压的控制下，根据N‑M个输出通路分别执行充电操作或放电操作，通过N‑M次的充电操作或放电操作得到计算单元的乘法计算电路计算得到的计算结果，计算结果为该计算单元根据信号输入电压和第一神经网络权重值计算得到的计算结果，第一神经网络权重值是根据初始神经网络权重值和充电操作或放电操作的次数N‑M得到的。本申请提供的计算电路可以降低功耗，提高集成度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116432565A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310266025.5
申请日：2023-03-13
Applicant: 清华大学
IPC: G06F30/30
Abstract: 本申请涉及一种二维材料场效应晶体管的建模方法及装置，其中，方法包括：基于二维材料场效应晶体管的器件结构与电学特性测试偏置配置信息，确定沟道的源结、本征沟道和漏结的坐标区间；根据划分的坐标区间建立源结和漏结的Landauer载流子输运物理图景的数学模型；利用预设Landauer公式和预设漂移扩散公式的准费米能级相空间(QFLPS)形式分别生成源结、本征沟道和漏结的电流输运，得到电流的综合公式。由此，解决了相关技术中，通过基尔霍夫电流守恒定律求解内部节点电压计算得到最终的结‑沟道串联电流，严重影响计算效率，不满足电路仿真的效率要求，按照并联取加权平均的方法没有物理含义，不利于从物理角度根据实验结果对工艺进行评估等问题。
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公开(公告)号：CN118072781A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202311808886.8
申请日：2023-12-26
Applicant: 清华大学
IPC: G11C11/22
Abstract: 本申请涉及一种处理方法、装置、铁电存储电路、计算机可读存储介质和计算机程序产品，用于铁电存储电路中，该铁电存储电路包括控制器和存储电路，该存储电路包括阵列排布的多个存储单元和一个空闲单元，该方法包括：在控制器接收到目标存储单元发送的目标信号后，获取目标存储单元中的目标数据，并将目标数据写入至该空闲单元中；在该控制器将该目标数据写入至该空闲单元后，对该目标存储单元进行耐久恢复处理，并将耐久恢复处理后的目标存储单元确定为新的空闲单元。采用本申请提供的处理方法，能够在不影响读写速度的情况下，对铁电存储电路中的存储单元进行疲劳恢复，进而有效的提高了增加铁电存储器耐久度的工作效率。
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公开(公告)号：CN116246672A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310128233.9
申请日：2023-02-07
Applicant: 清华大学
IPC: G11C11/22
Abstract: 本申请涉及铁电存储技术领域，特别涉及一种单畴铁电晶体管三态存储的操作方法及装置，其中，方法包括：判断单畴铁电晶体管是否满足实施三态存储的条件；若单畴铁电晶体管满足实施三态存储的条件，则确定单畴铁电晶体管的三态操作手续种类和目标状态；基于目标三态操作手续对单畴铁电晶体管进行操作，使得单畴铁电晶体管进入目标状态，以在目标状态完成存储动作。由此，解决了相关技术中对于单个铁电畴的利用均局限于上下两个态的问题，拓展了传统操作模式只涵盖铁电畴的上下两态的技术限制，使单畴铁电晶体管能够实现三态存储，提高了数据存储密度，提高存算一体电路集成度。
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公开(公告)号：CN119759268A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411813746.4
申请日：2024-12-10
Applicant: 清华大学 , 北京电子控股有限责任公司
IPC: G06F3/06
Abstract: 本公开涉及一种铪基铁电存储器、电子设备，铪基铁电存储器包括多个存储单元，被划分工作群组、恢复群组，工作群组中的存储单元处于工作状态，恢复群组中的存储单元处于恢复状态或可用状态，铪基铁电存储器中存储单元的状态以预设时长为周期进行周期性的状态切换，状态切换包括：工作群组中的预设数目个存储单元从工作状态被切换为恢复状态，恢复群组中处于可用状态的预设数目个存储单元被切换为工作状态，且工作群组中的预设数目个存储单元的读写信息被迁移至处于可用状态的预设数目个存储单元。本公开实施例可以提高铪基铁电存储器的使用寿命，且工作群组中的存储单元可以以稳定容量持续保持工作状态，读写效率及工作稳定性较高。
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公开(公告)号：CN117474058A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311262056.X
申请日：2023-09-27
Applicant: 清华大学
Abstract: 本申请涉及一种计算电路。计算电路包括阵列排布的多个计算单元，各计算单元包括乘法计算电路、预充电电路以及计算结果输出电路，乘法计算电路包括相互连接的第一和第二铁电晶体管，预充电电路和计算结果输出电路均与位于第一和第二铁电晶体管之间的计算输出节点电连接；第一和第二铁电晶体管用于在写电压的驱动下进入目标阻态状态，预充电电路用于在该第一和第二铁电晶体管进入该目标阻态状态后，将计算输出节点调整至目标电压，第一和第二铁电晶体管用于在计算输出节点调整至目标电压后，接收信号输入电压；计算结果输出电路用于在接收信号输入电压后，将计算输出节点的电压进行输出。采用本申请提供的计算电路，可以提高集成度，降低功耗。
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