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公开(公告)号：CN119497451A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202411151723.1
申请日：2024-08-20
Applicant: 珠海富山爱旭太阳能科技有限公司 , 浙江爱旭太阳能科技有限公司 , 广东爱旭科技有限公司 , 天津爱旭太阳能科技有限公司 , 深圳爱旭数字能源技术有限公司 , 滁州爱旭太阳能科技有限公司 , 山东爱旭太阳能科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种背接触电池、背接触电池串及太阳能电池组件，所述背接触电池包括设于硅基底背面的第一掺杂区、第二掺杂区和隔离区，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区交替设置，所述隔离区设于所述第一掺杂区和第二掺杂区之间，所述第一掺杂区和第二掺杂区掺杂类型相反；所述第一掺杂区靠近所述隔离区的侧壁向内凹陷形成第一凹陷区，所述第一凹陷区包括若干个依次连接的第一凹陷单元。实施本发明，可以提高第一掺杂区和第二掺杂区之间的载流子传输。
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公开(公告)号：CN119486351A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411444114.5
申请日：2024-10-15
Applicant: 珠海富山爱旭太阳能科技有限公司 , 浙江爱旭太阳能科技有限公司 , 广东爱旭科技有限公司 , 天津爱旭太阳能科技有限公司 , 深圳爱旭数字能源技术有限公司 , 山东爱旭太阳能科技有限公司 , 滁州爱旭太阳能科技有限公司
Abstract: 本发明涉及太阳能电池技术领域，公开了一种太阳能电池组件，包括多个背接触电池、多根焊带；所述背接触电池包括电池基片、设置在所述电池基片表面的栅线，所述栅线上设有若干Pad点，每条焊带通过所述Pad点与栅线连接，而且，每条所述焊带还通过焊接点与栅线连接，其中，所述焊接点为非Pad点；每条焊带与栅线相连接的焊接点和Pad点的总数量为x，所述背接触电池的主栅功率损耗为y，x和y满足下述式Ⅰ：y＝a*xb，a、b为常数。采用本发明，可以降低载流子的传输损耗，降低组件的CTM损失。
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公开(公告)号：CN119342937A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411266361.0
申请日：2024-09-10
Applicant: 浙江爱旭太阳能科技有限公司 , 珠海富山爱旭太阳能科技有限公司 , 广东爱旭科技有限公司 , 天津爱旭太阳能科技有限公司
IPC: H10F71/10 , H10F77/20 , H10F10/166
Abstract: 本发明适用于太阳能电池制备技术领域，提供了一种太阳能电池的制备方法、异质结太阳能电池及光伏组件，太阳能电池的制备方法包括通过喷墨打印墨水制膜的方式，在太阳能电池的氧化物薄膜上制备掩膜，掩膜具有若干并列的线槽，线槽的宽度小于预设宽度阈值；对氧化物薄膜对应线槽的部分进行刻蚀，形成不贯穿氧化物薄膜的凹槽；在凹槽制备金属电极。通过喷墨打印墨水制备掩膜，使得掩膜的线槽的宽度小于预设宽度阈值，从而可以在后续制备较细的金属电极，降低金属电极的线宽，降低遮光比，减少电池片的遮光面积，提高短路电流，进一步提高光电转换效率；另外，金属电极嵌入在凹槽内，减少氧化物薄膜的方阻。
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公开(公告)号：CN119133303A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411092470.5
申请日：2024-08-09
Applicant: 浙江爱旭太阳能科技有限公司 , 天津爱旭太阳能科技有限公司 , 滁州爱旭太阳能科技有限公司 , 珠海富山爱旭太阳能科技有限公司 , 广东爱旭科技有限公司 , 深圳爱旭数字能源技术有限公司 , 山东爱旭太阳能科技有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/05 , H01L31/0216
Abstract: 本发明公开了无主栅电池串及其制备方法，本发明通过设置导电层避免了栅线与焊带直接接触，从而避免了焊带焊接时栅线银浆与焊带上的锡形成锡银合金，减少了过焊问题，通过设置绝缘层避免了异型栅线与焊带电连接。进一步地，导电层高度大于绝缘层的高度，以保证焊带与导电层之间的焊接强度和电连接。或者，通过采用特定的制备工艺实现导电层高度小于绝缘层的高度的同时实现焊带与导电层之间电接触。
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公开(公告)号：CN119133151A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411268557.3
申请日：2024-09-10
Applicant: 珠海富山爱旭太阳能科技有限公司 , 浙江爱旭太阳能科技有限公司 , 广东爱旭科技有限公司 , 天津爱旭太阳能科技有限公司 , 深圳爱旭数字能源技术有限公司 , 山东爱旭太阳能科技有限公司 , 滁州爱旭太阳能科技有限公司
IPC: H01L23/544 , H01L21/66 , H01L31/0224 , H01L31/05
Abstract: 本发明公开了一种背接触太阳电池、组件及光伏系统，涉及硅太阳电池领域。背接触太阳电池包括硅基底、第一掺杂层、第二掺杂层、正极栅线、负极栅线和第一PAD部。第一掺杂层和第二掺杂层沿第一方向交替排列；第一掺杂层包括第一子掺杂层，第二掺杂层包括与第一子掺杂层相邻设置的第二子掺杂层；第二子掺杂层与第一子掺杂层在预设位置形成漏电复合接触结构；正极栅线包括设于第一子掺杂层上的第一子正极栅线，负极栅线包括设于第二子掺杂层上的第一子负极栅线；每组第一PAD部包括一个第一PAD点和一个第二PAD点，第一PAD点与第一子正极栅线电连接，第二PAD点与第一子负极栅线电连接。实施本发明，可在电池端准确表征热斑效应。
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公开(公告)号：CN119008716A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411097440.3
申请日：2024-08-09
Applicant: 珠海富山爱旭太阳能科技有限公司 , 浙江爱旭太阳能科技有限公司 , 天津爱旭太阳能科技有限公司 , 广东爱旭科技有限公司 , 深圳爱旭数字能源技术有限公司 , 山东爱旭太阳能科技有限公司
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/068
Abstract: 本发明适用于太阳能电池技术领域，提供一种太阳能电池及其钝化接触结构、电池组件及光伏系统，太阳能电池钝化接触结构包括依次层叠设置于硅基底表面的第一钝化层、第一掺杂多晶硅层、第二钝化层、第二掺杂多晶硅层；其中，第一掺杂多晶硅层的平均晶粒尺寸大于第二掺杂多晶硅层的平均晶粒尺寸。本发明的太阳能电池钝化接触结构利用第一钝化层和第二钝化层共同阻挡杂质内扩进入硅基底，可以提升太阳能电池的钝化效果，从而提升电池效率，且第二掺杂多晶硅层相比第一掺杂多晶硅层的结构更加致密，可降低电极浆料烧穿掺杂多晶硅层的风险，且可以减少电极浆料复合损失，利于提高电池生产良率和提升电池效率。
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公开(公告)号：CN119008715A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411087630.7
申请日：2024-08-08
Applicant: 珠海富山爱旭太阳能科技有限公司 , 浙江爱旭太阳能科技有限公司 , 天津爱旭太阳能科技有限公司 , 广东爱旭科技有限公司
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/068
Abstract: 本发明适用于太阳能电池技术领域，提供一种背接触太阳能电池、电池组件及光伏系统，背接触太阳能电池包括：硅基底，硅基底的背面设有P区和N区；第一钝化接触结构，包括第一钝化层、第一P型掺杂多晶硅层、第一阻挡层、第二P型掺杂多晶硅层；第二钝化接触结构，包括第二钝化层、第一N型掺杂多晶硅层、第二阻挡层、第二N型掺杂多晶硅层；第一P型掺杂多晶硅层的P型掺杂剂的掺杂浓度大于第二P型掺杂多晶硅层的P型掺杂剂的掺杂浓度，第一N型掺杂多晶硅层的N型掺杂剂的掺杂浓度小于第二N型掺杂多晶硅层的N型掺杂剂的掺杂浓度。本发明的背接触太阳能电池可减少杂质内扩进入硅基底，且可以提高P区的透光率，从而提升电池效率。
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公开(公告)号：CN118919582A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411163007.5
申请日：2024-08-22
Applicant: 珠海富山爱旭太阳能科技有限公司 , 天津爱旭太阳能科技有限公司 , 浙江爱旭太阳能科技有限公司 , 广东爱旭科技有限公司 , 深圳爱旭数字能源技术有限公司 , 山东爱旭太阳能科技有限公司 , 滁州爱旭太阳能科技有限公司
IPC: H01L31/0224 , G01R1/04 , G01R31/36 , H01L31/042 , H01L21/66
Abstract: 本申请适用于太阳能电池技术领域，提供了一种无主栅背接触电池、电池组件和光伏系统，在无主栅背接触电池的硅衬底上设有用于与测试装置的不同极性的探针接触的第一测试接触结构和第二测试接触结构，且第一测试接触结构与所有第一细栅导电连接，第二测试接触结构与所有第二细栅导电连接。如此，通过设置第一测试接触结构和第二测试接触结构，第一测试接触结构和第二测试接触结构相较于单根第一细栅和第二细栅的面积较大，在对无主栅背接触电池进行电性能、EL测试以及热斑等测试时，测试装置的正负极探针可以分别与第一测试接触结构和第二测试接触结构之间形成稳定的接触，降低测试难度，提高测试可靠性与稳定性。
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公开(公告)号：CN118919577A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411291345.7
申请日：2024-09-13
Applicant: 浙江爱旭太阳能科技有限公司 , 珠海富山爱旭太阳能科技有限公司 , 天津爱旭太阳能科技有限公司 , 广东爱旭科技有限公司 , 山东爱旭太阳能科技有限公司
IPC: H01L31/02 , H01L31/0216 , H01L31/0352 , H01L31/068
Abstract: 本申请涉及太阳能电池技术领域，提供了一种背接触电池、电池组件和光伏系统，背接触电池的第一掺杂层包括绝缘区和导电区。绝缘层设置在第一掺杂层的绝缘区。至少部分第二掺杂层包括覆盖在第二区域上的第一堆叠部和延伸至第一掺杂层的绝缘区上的第二堆叠部。第二堆叠部层叠覆盖在导电区的至少部分区域上。第一电极贯穿绝缘层与第一掺杂层导电连接。导电薄膜层层叠设置在第二掺杂层上，导电薄膜层延伸至第二堆叠部对应导电区的部分的至少部分区域，导电薄膜层与第一电极绝缘隔离，第二电极设置在导电薄膜层上。如此，通过对第一掺杂层、第二掺杂层、导电薄膜层以及绝缘层的匹配优化设计，可以使得背接触电池的抗热斑性能和效率达到较优的匹配效果。
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公开(公告)号：CN118825110A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202411231591.3
申请日：2024-09-03
Applicant: 浙江爱旭太阳能科技有限公司 , 珠海富山爱旭太阳能科技有限公司 , 天津爱旭太阳能科技有限公司 , 广东爱旭科技有限公司 , 山东爱旭太阳能科技有限公司
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0216 , H01L31/042
Abstract: 本申请涉及太阳能电池技术领域，提供了一种背接触电池、电池组件和光伏系统，背接触电池包括硅衬底、若干第一掺杂层和若干第二掺杂层。硅衬底具有相对的正面和背面，背面包括沿第一方向交替排列的第一极区和第二极区，在至少部分第一掺杂层上形成有内陷槽，第二掺杂层具有延伸至第一掺杂层上的漏电接触部，漏电接触部部分延伸至内陷槽内且至少在内陷槽内与第一掺杂层形成漏电接触。如此，第二掺杂层的漏电接触部可以在内陷槽内与第一掺杂层形成漏电接触，从而在内陷槽处形成漏电点位，可以降低背接触电池被遮挡时的反向击穿电压，从而提升背接触电池的抗热斑性能，降低电池组件热斑风险。
