公开(公告)号：CN105027092B

公开(公告)日：2018-01-30

申请号：CN201380069806.X

申请日：2013-03-27

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 植松裕 ,  村冈谕 ,  大坂英树 ,  柴田正文 ,  福村裕佑 ,  渡边聪 ,  柿田宏 ,  出居昭男 ,  上野仁 ,  尾野孝之 ,  宫川贵志 ,  内藤伦典 ,  隅仓大志 ,  福田裕一

IPC: G06F12/06 ,  G06F12/00 ,  G11C5/00

CPC classification number: G06F3/068 ,  G06F3/0611 ,  G06F3/0629 ,  G06F13/1694 ,  G11C5/04 ,  G11C7/10

Abstract: 在将作为高速存储器的DRAM和作为比DRAM低速但却是能够大容量化的非易失性存储器的闪存搭载于DIMM时，为了使CPU存储器总线处理量最大化，而部件配置就会成为问题。因此，本公开的存储器模块(DIMM)将存储器控制器配置于靠近插口端子一侧，将作为高速存储器的DRAM配置于其背面。将作为大容量存储器的闪存配置于远离插口端子的一侧。

公开(公告)号：CN105027092A

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：CN201380069806.X

申请日：2013-03-27

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 植松裕 ,  村冈谕 ,  大坂英树 ,  柴田正文 ,  福村裕佑 ,  渡边聪 ,  柿田宏 ,  出居昭男 ,  上野仁 ,  尾野孝之 ,  宫川贵志 ,  内藤伦典 ,  隅仓大志 ,  福田裕一

IPC: G06F12/06 ,  G06F12/00 ,  G11C5/00

CPC classification number: G06F3/068 ,  G06F3/0611 ,  G06F3/0629 ,  G06F13/1694 ,  G11C5/04 ,  G11C7/10

Abstract: 在将作为高速存储器的DRAM和作为比DRAM低速但却是能够大容量化的非易失性存储器的闪存搭载于DIMM时，为了使CPU存储器总线处理量最大化，而部件配置就会成为问题。因此，本公开的存储器模块(DIMM)将存储器控制器配置于靠近插口端子一侧，将作为高速存储器的DRAM配置于其背面。将作为大容量存储器的闪存配置于远离插口端子的一侧。