公开(公告)号：CN104219901A

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201410229711.6

申请日：2014-05-28

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 副田辉 ,  依田智子 ,  远矢伸一郎 ,  尾野孝之 ,  高平满 ,  关野裕一 ,  后藤晓 ,  田代义昌 ,  土居裕幸 ,  阪本努

IPC: H05K3/46 ,  H05K1/02

CPC classification number: H05K3/4614 ,  H05K1/113 ,  H05K1/114 ,  H05K3/0094 ,  H05K3/306 ,  H05K2201/044 ,  H05K2201/0959 ,  H05K2201/09881 ,  H05K2201/099 ,  H05K2201/10189 ,  H05K2201/10234 ,  H05K2203/061 ,  H05K2203/063 ,  Y10T29/49165

Abstract: 本发明提供一种层间连接基板及其制造方法。在具有贯通TH的第1被贴合多层基板的贴合表面上，形成连接在想要得到电气导通的TH的焊盘上的电极，在该电极上形成焊料凸块；在具有贯通TH的第2被贴合多层基板的贴合表面上，与第1被贴合多层基板的电极形成位置对置的位置上，形成连接在TH焊盘上的电极，在该电极上形成焊料凸块；在将由硬化的树脂构成的芯材的两面用没有完全硬化的树脂材料的粘接件夹住而形成的3层化片上，与TH对应的位置及与电极上的焊料凸块对应的位置上分别开孔；使第1、第2被贴合多层基板各自的贴合面对置地设置，在它们之间将3层化片定位并层叠，在真空的环境下，通过加热、压缩的工艺进行一齐热压接。

公开(公告)号：CN105027092B

公开(公告)日：2018-01-30

申请号：CN201380069806.X

申请日：2013-03-27

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 植松裕 ,  村冈谕 ,  大坂英树 ,  柴田正文 ,  福村裕佑 ,  渡边聪 ,  柿田宏 ,  出居昭男 ,  上野仁 ,  尾野孝之 ,  宫川贵志 ,  内藤伦典 ,  隅仓大志 ,  福田裕一

IPC: G06F12/06 ,  G06F12/00 ,  G11C5/00

CPC classification number: G06F3/068 ,  G06F3/0611 ,  G06F3/0629 ,  G06F13/1694 ,  G11C5/04 ,  G11C7/10

Abstract: 在将作为高速存储器的DRAM和作为比DRAM低速但却是能够大容量化的非易失性存储器的闪存搭载于DIMM时，为了使CPU存储器总线处理量最大化，而部件配置就会成为问题。因此，本公开的存储器模块(DIMM)将存储器控制器配置于靠近插口端子一侧，将作为高速存储器的DRAM配置于其背面。将作为大容量存储器的闪存配置于远离插口端子的一侧。

公开(公告)号：CN105027092A

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：CN201380069806.X

申请日：2013-03-27

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 植松裕 ,  村冈谕 ,  大坂英树 ,  柴田正文 ,  福村裕佑 ,  渡边聪 ,  柿田宏 ,  出居昭男 ,  上野仁 ,  尾野孝之 ,  宫川贵志 ,  内藤伦典 ,  隅仓大志 ,  福田裕一

IPC: G06F12/06 ,  G06F12/00 ,  G11C5/00

CPC classification number: G06F3/068 ,  G06F3/0611 ,  G06F3/0629 ,  G06F13/1694 ,  G11C5/04 ,  G11C7/10

Abstract: 在将作为高速存储器的DRAM和作为比DRAM低速但却是能够大容量化的非易失性存储器的闪存搭载于DIMM时，为了使CPU存储器总线处理量最大化，而部件配置就会成为问题。因此，本公开的存储器模块(DIMM)将存储器控制器配置于靠近插口端子一侧，将作为高速存储器的DRAM配置于其背面。将作为大容量存储器的闪存配置于远离插口端子的一侧。