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公开(公告)号：CN110300494A
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201910098756.7
申请日：2019-01-31
Abstract: 本发明实施例提供一种提高氮化镓半导体器件散热性能的封装方法，即GaN半导体器件的垂直面或背面封装在印刷电路板PCB之上，且与PCB热接触。这种封装技术可以与表面组装技术如基板栅格阵列(LGA)版式、球状引脚栅格阵列(BGA)版式以及其他版式相互兼容。PCB与GaN半导体器件的垂直面或背面之间的热接触可采用焊料来制作，作为热接触的焊料也可与GaN半导体器件的源极连接，以提高该GaN半导体器件的电学稳定性。
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公开(公告)号：CN108470764A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201810085076.7
申请日：2018-01-29
IPC: H01L29/41 , H01L29/778 , H01L21/335 , H01L21/28
CPC classification number: H01L23/367 , H01L23/49844 , H01L23/5386 , H01L24/06 , H01L25/072 , H01L25/18 , H01L27/085 , H01L29/0696 , H01L29/2003 , H01L29/41758 , H01L29/42316 , H01L29/778 , H01L29/7787 , H01L2224/06179 , H01L2924/1016 , H01L2924/10162 , H01L2924/1033 , H01L2924/1203 , H01L2924/13064
Abstract: 本发明描述了具有良好功率操控和散热性能的半导体器件和结构。本发明适用于GaN材料领域。器件可以是分立的方形或菱形芯片，在这些芯片的角落上有电极接线端、锥形电极基底和相互交叉的电极指。器件矩阵结构为在衬底上由数个芯片以具有相互交叉电路的矩阵构型排列而成。器件点阵结构以包含多个分立器件的单位原胞为基础建立，这些单位原胞按照几何结构周期性地贴焊在芯片上。同时，本发明也描述了实现这种半导体器件和结构的方法。
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公开(公告)号：CN110417242B
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN201910490627.2
申请日：2019-06-06
IPC: H02M1/08 , H01L27/085 , H01L29/778
Abstract: 本发明实施例提供一种用于GaN功率晶体管的栅极驱动电路，包括一个RS触发器和一个放大器。RS触发器的S输入端用来接收第一个脉冲序列，R输入端用来接收第二个脉冲序列，然后产生一个输出脉冲序列；放大器用来放大这个输出的脉冲序列，为GaN功率晶体管产生一个栅极驱动器信号。本发明不仅避免了现有混合技术(如Si‑GaN)的一些缺陷，如来自于焊线和板上金属走线的寄生电感，特别是在高频操作下产生的寄生电感；而且还可减少实施成本，提高性能。
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公开(公告)号：CN110417242A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910490627.2
申请日：2019-06-06
IPC: H02M1/08 , H01L27/085 , H01L29/778
Abstract: 本发明实施例提供一种用于GaN功率晶体管的栅极驱动电路，包括一个RS触发器和一个放大器。RS触发器的S输入端用来接收第一个脉冲序列，R输入端用来接收第二个脉冲序列，然后产生一个输出脉冲序列；放大器用来放大这个输出的脉冲序列，为GaN功率晶体管产生一个栅极驱动器信号。本发明不仅避免了现有混合技术(如Si-GaN)的一些缺陷，如来自于焊线和板上金属走线的寄生电感，特别是在高频操作下产生的寄生电感；而且还可减少实施成本，提高性能。
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公开(公告)号：CN110416096A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910490973.0
申请日：2019-06-06
IPC: H01L21/56 , H01L23/31 , H01L23/544 , H01L27/085
Abstract: 本发明实施例提供一种GaN功率器件的缺陷可容布局和封装。一种GaN功率开关器件，包括：至少有一个包含数个子器件的晶片，其中每一个子器件都是一个开关器件；将这至少一个晶片中仅正常子器件选择性地连接在一起来构成功率开关器件；在封装之前，正常子器件与缺陷子器件通过缺陷子器件上的标注区分。本发明采用包含数个低功率子器件的晶片来获得高额定功率。这种晶片中仅正常子器件相互连接，并通过有选择性地排除缺陷子器件来允许缺陷子器件的存在。本发明所述封装和方法特别应用于GaN功率开关器件比如高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)，可以最大程度的提高整个晶片的良品率。
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公开(公告)号：CN108242895A
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201810143791.1
申请日：2018-02-12
Abstract: 本发明实施例提供一种混合式整流器，这种混合式整流器可作为一个混合式全桥整流器或一个倍压整流器工作。在220V AC输入条件下，这种混合整流器以全桥模式工作，而在110V AC输入条件下，它作为倍压整流器工作。这种混合式整流器可与一个DC-DC转换器如一个LLC谐振转换器结合共同用在电源中。在这种模式转换下，LLC转换器谐振腔设计仅仅需要考虑220V AC的输入条件，以便减小所需操作的输入电压范围，并优化LLC转换器的效率。此外，相对于双级配置，采用单级结构既能够减小尺寸，又可以减小功率损耗。
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公开(公告)号：CN112640124A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN201980056656.6
申请日：2019-06-27
IPC: H01L29/66
Abstract: 本发明实施例提供一种氮化镓器件和集成电路的栅极驱动电路及电压调节器，采用氮化镓HEMT技术实现的电压稳定和调压电路能够提供稳定的输出电压，适用于氮化镓功率晶体管栅极驱动器和氮化镓集成电路的低压辅助电源等应用。栅极驱动器和电压调节器模块包括至少一个串联连接在一起的DHEMT和至少两个EHEMTs，以便至少一个DHEMT作为可变电阻工作，并且至少两个EHEMTs作为限制输出的齐纳二极管工作。栅极驱动器和电压调节器模块可以实现作为一个氮化镓集成电路，并且可以在单个芯片上与放大器和功率HEMT等其他组件整体集成，以提供氮化镓HEMT功率模块集成电路。
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公开(公告)号：CN108242895B
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201810143791.1
申请日：2018-02-12
Abstract: 本发明实施例提供一种混合式整流器，这种混合式整流器可作为一个混合式全桥整流器或一个倍压整流器工作。在220V AC输入条件下，这种混合整流器以全桥模式工作，而在110V AC输入条件下，它作为倍压整流器工作。这种混合式整流器可与一个DC‑DC转换器如一个LLC谐振转换器结合共同用在电源中。在这种模式转换下，LLC转换器谐振腔设计仅仅需要考虑220V AC的输入条件，以便减小所需操作的输入电压范围，并优化LLC转换器的效率。此外，相对于双级配置，采用单级结构既能够减小尺寸，又可以减小功率损耗。
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公开(公告)号：CN111816623A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN202010395716.1
申请日：2020-05-12
Abstract: 本发明实施例提供一种封装半导体器件及其封装方法。一种封装半导体器件，包括：包括一个包含至少两个电极的上表面和一个下表面的一个横向半导体功率器件芯片，其中上表面和下表面共面；与至少两个电极中的第一个电极电相连的至少一根金属引线；一块背板；分布在所述横向半导体功率器件芯片的下表面和背板之间的电绝缘导热粘合剂；其中所述背板至少有一部分金属与至少两个电极中的第二个电极电相连。本发明实施例提供的横向高压氮化镓器件可以在保持热耗散的同时实现电气隔离。电气隔离减少或消除垂直泄漏电流，提高高压性能。这种封装技术可以使用或兼容JEDEC等标准格式，从而降低封装成本且便于使用传统电路设计方法实现器件封装。
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公开(公告)号：CN108702104B
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201680064411.4
申请日：2016-11-07
IPC: H02M7/483
Abstract: 一种五电平逆变器拓扑电路及三相五电平逆变器拓扑电路，适于和两个串联连接的直流电源(C1，C2)一起使用，包括：一个半桥逆变器电路；所述半桥逆变器电路包括第一电路模块(M1)和第二电路模块(M2)。所述半桥逆变器电路能够输出包括零电平之内的五种电平。该五电平逆变器拓扑电路采用五电平半桥结构，只需要一个交流滤波电感(L1)，因此降低了系统成本和体积，消除了漏电流，效率高。
