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公开(公告)号：CN114402416A
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202080065173.5
申请日：2020-07-09
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 杰拉尔德·约瑟夫·布雷迪 , 凯文·M·麦克劳克林 , 普拉提克·桑赫 , 巴特·J·范施拉芬迪克 , 施瑞拉姆·瓦桑特·巴帕特
Abstract: 本文提供了用于氧化衬底的环形边缘区域的方法和装置。一种方法可以包括将衬底提供给半导体处理室中的衬底支架，该半导体处理室具有位于衬底支架上方的喷头，并且在衬底由衬底支架支撑时，同时流动(a)氧化气体围绕衬底的外围和(b)不包括氧气的惰性气体流过喷头并流到衬底上，从而在衬底的环形边缘区域上方产生环形气体区域并在所述衬底的内部区域上方产生内部气体区域；该同时流动不在材料沉积到衬底上的期间，并且环形气体区域具有高于内部气体区域的氧化率。
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